[发明专利]一种压阻式压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

第一步：对单面覆有金属薄层(6)的LCP薄膜层(2)进行激光打孔，构成阵列式结构的通孔；

第二步：利用迭片热压将LCP薄膜层(2)与LCP衬底(1)粘合；

第三步：在覆有金属薄层(6)的LCP薄膜层(2)的两端涂上光刻胶层(5)；

第四步：对未被光刻胶层(5)覆盖的金属薄层(6)进行腐蚀；

第五步：去除光刻胶层(5)，形成金属电极(3)；

第六步：将石墨烯阵列层(7)填充在LCP薄膜(2)的通孔中，将石墨烯薄膜层(4)连接在LCP薄膜层(2)上，且石墨烯薄膜层(4)填充金属电极(3)之间的空隙和覆盖金属电极(3)，从而制成压力传感器；

所述压力传感器包括LCP衬底(1)、LCP薄膜层(2)、金属电极(3)、石墨烯薄膜层(4)和石墨烯阵列层(7)；LCP薄膜层(2)固定连接在LCP衬底(1)上，LCP薄膜层(2)中设有阵列式结构的通孔，金属电极(3)连接在LCP薄膜层(2)两端的上方，石墨烯薄膜层(4)连接在LCP薄膜层(2)上，且石墨烯薄膜层(4)填充金属电极(3)之间的空隙和覆盖金属电极(3)；石墨烯阵列层(7)填充在LCP薄膜(2)的通孔中，且石墨烯薄膜层(4)和石墨烯阵列层(7)连接。

2.按照权利要求1所述的压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的第六步具体包括：对金属电极(3)上表面粘贴胶布(9)，然后对LCP薄膜层(2)和金属电极(3)及其表面粘贴的胶布旋涂上一氧化石墨烯层(8)，氧化石墨烯层(8)填充LCP薄膜层(2)上的通孔和金属电极(3)之间的空隙，且覆盖金属电极(3)和胶布(9)，接着撕掉金属电极(3)上的胶布(9)，最后进行加热，氧化石墨烯层(8)还原成为位于在LCP薄膜(2)通孔中的石墨烯阵列层(7)和位于LCP薄膜(2)上方的石墨烯薄膜层(4)，从而制成压力传感器。

3.按照权利要求2所述的压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯层(8)还原过程中，温度低于LCP薄膜层(2)和LCP衬底(1)的熔融温度。

4.按照权利要求3所述的压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯层(8)还原过程中，以氮气作为保护气。

5.按照权利要求1至4中任何一项所述的压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的LCP薄膜层(2)中的通孔厚度为25～50微米。