[发明专利]发光装置

说明书

本发明涉及发光装置。使用简单的结构来进行短脉冲宽度的发光。将光源（101）、微分电路（102）和开关（103）串联连接。当使开关（103）为导通时，冲击电流在构成微分电路（102）的电容器（102b）中流动，与此对应地，电流在光源中流动而进行发光。当电容器（102b）被充电时，电流在电阻（102a）中流动而在电阻（102a）产生电压降，由此，对光源（101）施加的电压下降，发光停止。通过利用向电容器（102b）的冲击电流，从而能够进行短脉冲宽度的发光。

技术领域

本发明涉及一种进行脉冲发光的发光装置。

背景技术

在进行使用了激光的距离的测定、各种加工等的技术中，要求脉冲宽度为几十~几百皮秒以下这样的短脉冲的激光。例如，在使用了脉冲激光的距离的测定中，能够通过使用脉冲宽度窄的脉冲光来提高测距精度。作为生成脉冲宽度窄的激光的技术，已知日本特公平7–109911号公报、日本特开昭55–107282号公报、日本特开2002–368329号公报等所记载的技术。

在图1中示出了LD（激光二极管）中的驱动电流与输出光的关系。如图1所示，当驱动电流在LD中流动时，出现如下现象：最初产生脉冲状的发光，该发光的振幅进行振动并逐渐变小，最终产生固定强度的发光。该现象在所有半导体激光器中出现。在上述的发光初始出现的逐渐收敛的发光强度的振动被称为弛豫振荡（relaxation oscillation）。

在想要进行短的脉冲宽度的发光的情况下，使用如图2所示那样使时间间隔短的驱动电流流动而仅进行最初的脉冲发光的方法。然而，难以使用简单的电路来生成具有几十~几百皮秒级（picosecond order）的时间宽度的驱动电流。

例如，200MHz左右的频率的正弦波、矩形波能够使用市售的IC来容易地得到。然而，还根据例如100MHz的高频的周期为10^–8秒（10纳秒=10000皮秒）的情况可知，得到具有几十~几百皮秒级的时间宽度的脉冲状的驱动电流并不是容易的事情。

能够使用微波带的高频技术来得到具有几十~几百皮秒级的时间宽度的脉冲状的驱动电流。例如，能够通过使用了YIG谐振器的振荡器来得到几十GHz的信号，通过利用该技术，从而能够得到具有几十~几百皮秒级的时间宽度的脉冲状的驱动电流。然而，根据电路规模、成本、调整的复杂度、功耗的多少这样的方面，微波带的高频技术不适于例如向在户外使用的测距装置等的利用。

发明内容

在这样的背景下，本发明的目的在于提供能使用简单的结构来进行短脉冲宽度的发光的技术。

方案1所记载的发明是，一种发光装置，其特征在于，具备：光源，在刚进行发光驱动用的通电之后产生弛豫振荡；微分电路，并联连接在刚通电之后作为低的阻抗的电容性电抗特性电路部和对在通电后经过规定时间之后被充电到所述电容性电抗特性电路部中的电荷进行放电的电阻特性电路部；以及开关元件，所述光源与所述微分电路串联连接，所述开关元件是进行对所述光源和所述微分电路的电压施加的接通/关断的开关，所述电容性电抗特性电路部和所述电阻特性电路部选择得到所述弛豫振荡中的一部分的振荡的特性。

作为激光器的通常的特性已知在刚进行发光驱动用的通电之后产生弛豫振荡这样的现象，特别地，作为能够容易实现该现象的光源，可举出半导体激光器（LD）。在刚通电之后作为低的阻抗的电容性电抗特性电路部具有蓄积电荷的功能，具有在蓄积电荷时产生冲击电流的特性。作为电容性电抗特性电路部，可举出电容器元件。代替电容器元件，还能够使用布线、导体图案间的电容。

作为对在通电后经过规定时间之后被充电到电容性电抗特性电路部中的电荷进行放电的电阻特性电路部，能够举出各种电阻元件、使用了布线的电阻体、使用了各种导体、半导体的电阻体。电阻特性电路部的电压–电流特性也可以不为线性。例如，作为电阻特性电路部，还能够使用二极管等非线性元件、适当地设定了偏压的FET等三端子元件。