[发明专利]一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路有效
| 申请号： | 201510514279.X | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105049028B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张瑞波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 电路 不确定 检测 | ||
1.一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路，包含输入阻抗，多级反相器，其中，所述多级反相器的数目为N，N为正整数，N≥3；第一级反相器由至少一个串联结构的PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成，其余的反相器由一个PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成；其特征在于，还包含至少一个反馈反相器，所述反馈反相器由一个PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成，两个场效应管的漏极连接在一起，栅极也连接在一起；所述反馈反相器的漏极与M级反相器的输出端相连，所述反馈反相器的栅极与M+1级反相器的输出端相连；其中，所述反馈反相器的PMOS和NMOS场效应管的尺寸电特性大于所述M级反相器的尺寸电特性，且所述的M级反相器为第二级反相器至N-1级反相器中的某一级反相器。
2.根据权利要求1所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述的N为3、4、5或7。
3.根据权利要求2所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述的N为5。
4.根据权利要求3所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述的反馈反相器为一个。
5.根据权利要求4所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述反馈反相器的漏极与所述第二级反相器的输出端相连，所述反馈反相器的栅极与所述第三级反相器的输出端相连。
6.根据权利要求1所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述反馈反相器的PMOS和NMOS场效应管的尺寸电特性与所述M级反相器的尺寸电特性之比为1.2～1.5：1。
7.根据权利要求1所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述第一级反相器中的串联PMOS场效应管的个数由电路主电源和I/O电源的设定差值及所采用的PMOS场效应管和NMOS场效应管的电特性确定。
8.根据权利要求1所述的防止I/O电路不确定态的上电检测电路，其特征在于，所述第一级反相器中的串联PMOS场效应管的个数为3。
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