[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板结构

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；

步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积一非晶硅薄膜(301)，并在所述非晶硅薄膜(301)表面通入硼氢化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶硅薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶硅薄膜(301)的表面掺杂硼离子；

步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜(301)，所述数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜(301)叠加构成非晶硅层(3)；

步骤4、对所述非晶硅层(3)进行退火处理，去除非晶硅层(3)中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶硅薄膜(301)表面的硼离子均匀扩散到整个非晶硅层(3)中，实现对整个非晶硅层(3)的硼离子掺杂；

步骤5、使用两道光罩对所述硼离子掺杂后的非晶硅层(3)进行两次离子注入，得到位于所述非晶硅层(3)两侧的两个N型重掺杂区(31)、位于所述非晶硅层(3)中部的硼离子掺杂沟道区(33)、及位于所述两个N型重掺杂区(31)与硼离子掺杂沟道区(33)之间的两个N型轻掺杂区(32)；

步骤6、在所述非晶硅层(3)上依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(6)、层间绝缘层(7)、及源、漏极(81、82)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(1)为玻璃基板或塑料基板。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(2)为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，采用硅烷和氢气通过化学气相沉积法沉积所述非晶硅薄膜(301)。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述硼氢化合物气体为乙硼烷。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中重复步骤2操作的次数大于或等于一次。

7.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用炉管、准分子激光退火设备、或化学气相沉积加热室对所述非晶硅层(3)进行退火处理。

8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述层间绝缘层(7)为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。

9.一种根据权利要求1所述的TFT基板的制作方法所制作的TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上的非晶硅层(3)、设于所述非晶硅层(3)上的栅极绝缘层(5)、设于所述栅极绝缘层(5)上的栅极(6)、设于所述栅极绝缘层(5)上覆盖所述栅极(6)的层间绝缘层(7)、及设于所述层间绝缘层(7)上的源极(81)与漏极(82)；

所述非晶硅层(3)包括位于非晶硅层(3)的两侧对应所述源极(81)与漏极(82)下方的两个N型重掺杂区(31)、位于非晶硅层(3)的中部对应所述栅极(6)下方的硼离子掺杂沟道区(33)、及位于所述两个N型重掺杂区(31)与硼离子掺杂沟道区(33)之间的两个N型轻掺杂区(32)；

所述栅极绝缘层(5)与层间绝缘层(7)上对应所述两个N型重掺杂区(31)的上方分别设有过孔(80)，所述源极(81)与漏极(82)分别经由所述过孔(80)与所述N型重掺杂区(31)相接触。

10.如权利要求9所述的TFT基板结构，其特征在于，所述缓冲层(2)为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层；所述层间绝缘层(7)为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。