[发明专利]一种SrCuSi4O10二维晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201510514948.3 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105129808A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 郭强兵;刘小峰;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 srcusi sub 10 二维 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种SrCuSi4O10二维晶体，其特征是：其分子主要是由Sr、Cu、Si、O原子以1:1:4:10的摩尔配比组成。
2.根据权利要求1所述的一种SrCuSi4O10二维晶体，其特征是：所述的SrCuSi4O10二维晶体是二维层状单晶。
3.根据权利要求1所述的一种SrCuSi4O10二维晶体，其特征是：所述的SrCuSi4O10二维晶体是由SrCuSi4O10三维晶体使用酸溶液剥离制备得到。
4.一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征是：使用酸溶液剥离SrCuSi4O10三维晶体，制备得到SrCuSi4O10二维晶体。
5.根据权利要求4所述的一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征是：
所述的SrCuSi4O10二维晶体是二维层状单晶。
6.根据权利要求4所述的一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征是：所述的酸溶液为盐酸、硝酸或硫酸溶液。
7.根据权利要求4所述的一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征是所述方法具体是：
1)将SrCuSi4O10晶体加入酸溶液中，水浴中超声处理30～120分钟，然后静置；
2)取上层2/3清液，进行离心处理，离心的转速为8000～15000转/分钟，时间5～10分钟；
3)去离子水清洗2～3次，得到二维层状SrCuSi4O10晶体。
8.根据权利要求7所述的一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中的酸溶液若为盐酸，其浓度为1～12摩尔/升。
9.根据权利要求7所述的一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中的酸溶液若为硝酸，其浓度为3～14.4摩尔/升。
10.根据权利要求7所述的一种SrCuSi4O10二维晶体的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中的酸溶液若为硫酸，其浓度为3～18摩尔/升。
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