[发明专利]一种有机发光二极管器件及制作方法和显示装置在审
申请号: | 201510516240.1 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN105140417A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 李瑞;徐德智 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 器件 制作方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管器件,其特征在于,包括:第一基板,设置在所述第一基板上的有机发光二极管,设置在所述有机发光二极管之上的至少一层封装层,设置在所述至少一层封装层之上的粘接层,以及所述粘接层上方的第二基板,所述至少一层封装层的至少一侧表面具有凹凸结构。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述有机发光二极管器件包括至少两层封装层,所述至少两层封装层包括交错设置的有机层和无机层。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述有机发光二极管器件包括两层封装层,所述两层封装层包括位于有机发光二极管之上的有机层和位于所述有机层之上的无机层,所述有机层的上表面具有凹凸结构,所述无机层的上表面和下表面均具有凹凸结构,且所述有机层上表面的凹凸结构和所述无机层下表面的凹凸结构相耦合。
4.如权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述有机层厚度为1~2微米,所述无机层厚度为0.1~1微米。
5.如权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述有机层包括聚丙烯酸酯类有机层。
6.如权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述无机层包括氮化硅无机层或氮氧化硅无机层。
7.如权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述粘接层为热固性材料粘接层,所述热固性材料粘接层包括热固性酚醛树脂粘接层或UV固化胶粘接层。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述第一基板和/或第二基板为柔性基板,所述柔性基板包括聚对苯二甲酸丁二醇酯基板或聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
9.如权利要求1~8任一项所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述凹凸结构包括方形凹凸结构,波浪形凹凸结构或锯齿形凹凸结构。
10.一种有机发光二极管器件的制作方法,其特征在于,包括:
在第一基板之上形成有机发光二极管;
在有机发光二极管之上形成至少一层封装层,所述封装层的至少一侧表面具有凹凸结构;
在所述至少一层封装层之上形成粘接层;
将所述第二基板与所述粘接层粘接。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管器件的制作方法,其特征在于,所述在有机发光二极管之上形成至少一层封装层,包括:
形成所述封装层的上表面的凹凸结构。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管器件的制作方法,其特征在于,所述形成所述封装层的上表面的凹凸结构,具体包括:
在有机发光二极管之上形成有机层;
通过曝光显影工艺形成所述有机层的上表面的凹凸结构;
在所述有机层表面形成无机层;
通过刻蚀工艺形成所述无机层的上表面的凹凸结构。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的有机发光二极管器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择