[发明专利]瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括：

彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，

所述容性二极管组件包括：

第一导电类型的半导体衬底；

位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；

第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；

第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；

第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及

互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接，其中，所述第一二极管和所述第二二极管反向并联连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，还包括：

第二齐纳二极管，与所述容性二极管组件和所述第一齐纳二极管串联连接。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述容性二极管组件 作为无极性的电容。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，容性二极管组件具有第一端和第二端，容性二极管组件的第二端与第一齐纳二极管的阴极连接，并且，容性二极管组件的第一端作为瞬态电压抑制器的信号端，第一齐纳二极管的阳极作为瞬态电压抑制器的接地端。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，容性二极管组件具有第一端和第二端，容性二极管组件的第二端与第一齐纳二极管的阳极连接，并且，第一齐纳二极管的阴极作为瞬态电压抑制器的信号端，容性二极管组件的第一端作为瞬态电压抑制器的接地端。

6.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其中，容性二极管组件具有第一端和第二端，容性二极管组件的第一端与第一齐纳二极管的阴极连接，第二端与第二齐纳二极管的阳极连接，并且，第一齐纳二极管的阳极作为瞬态电压抑制器的信号端，第二齐纳二极管的阴极作为瞬态电压抑制器的接地端。

7.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其中，容性二极管组件具有第一端和第二端，容性二极管组件的第二端与第一齐纳二极管的阴极连接，第一齐纳二极管的阳极与第二齐纳二极管的阴极连接，并且，容性二极管组件的第一端作为瞬态电压抑制器的信号端和接地端之一，第二齐纳二极管的阳极作为瞬态电压抑制器的信号端和接地端中的另一个。

8.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其中，容性二极管组件具有第一端和第二端，容性二极管组件的第二端与第一齐纳二极管的阳极连接，第一齐纳二极管的阴极与第二齐纳二极管的阳极连接，并且，容性二极管组件的第一端作为瞬态电压抑制器的信号端和接地端之一，第二齐纳二极管的阴极作为瞬态电压抑制器的信号端和接地端中的另一个。

9.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，所述互连结构包括第一互连引线。

10.根据权利要求9所述的瞬态电压抑制器，还包括：

位于外延层上的绝缘层；以及

第二互连引线，与第一掺杂区和和第二掺杂区电连接，

其中，所述第一互连引线和所述第二互连引线分别穿过绝缘层到达各自的掺杂区。

11.根据权利要求10所述的瞬态电压抑制器，其中，所述互连结构还包括第二导电类型的第三掺杂区，从外延层表面延伸至外延层中，所述第一互连引线与隔离区和第三掺杂区接触。

12.根据权利要求11所述的瞬态电压抑制器，其中，隔离区包括围绕第一有源区和第二有源区的周边部分，以及将第一有源区和第二有源区彼此隔开的中间部分，第三掺杂区横跨第一有源区和隔离区的周边部分之间的界面。

13.根据权利要求11所述的瞬态电压抑制器，其中，第三掺杂区围绕第一掺杂区。

14.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中，第一掺杂区和外延层之间形成第一二极管的PN结，半导体衬底和外延层之间形成第二二极管的PN结。

15.根据权利要求10所述的瞬态电压抑制器，其中，第一二极管和第二二极管采用半导体衬底和第二互连引线反向并联连接。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的瞬态电压抑制器，其中，第一导电类型为N型和P型之一，第二导电类型为N型和P型中的另一个。