[发明专利]半导体模块的测试方法以及半导体模块有效
申请号: | 201510518300.3 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN106468757B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 成宫一宪;松丸谅介;野崎优 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体模块 高侧开关 低侧开关 连接点 误动作 半桥 测试 噪声 检测 导通状态 截止状态 耐受 判定 输出 | ||
本发明提供半导体模块的测试方法以及半导体模块,该测试方法能够通过简单的方法来判定基于噪声的半导体模块的误动作耐受程度,该半导体模块能够更可靠地防止噪声所造成的误动作。特征在于,具有:第1步骤,将构成第1半桥的第1高侧开关与第1低侧开关之间的连接点、和构成第2半桥的第2高侧开关与第2低侧开关之间的连接点连接于检测部;第2步骤,在所述第1步骤之后,使所述第1高侧开关成为导通状态;第3步骤,在所述第2步骤之后,使所述第1高侧开关成为截止状态;以及第4步骤,在所述第3步骤之后,根据从所述检测部输出的信号,检测半导体模块有无误动作。
技术领域
本发明涉及对半桥(half bridge)、和用于驱动半桥的半导体集成电路进行树脂密封而成的半导体模块的测试方法以及半导体模块,特别涉及对以电机为代表的电感负载进行驱动的半导体模块的测试方法以及半导体模块。
背景技术
专利文献1公开了将包括电源开关在内的半桥、和用于驱动半桥的半导体集成电路内置在1个树脂封装件中的半导体模块以及使用了该半导体模块的逆变器电路。根据专利文献1,使得用于连接电源开关和半导体集成电路的金属细线的连接距离成为最小限度的距离,由此,能够实现电感L值的最小化且抑制产生噪声,并且能够防止因在电源开关的栅极上进行电荷的充放电时所产生的噪声而造成电源开关进行误动作的情况。
专利文献1:日本特开2002-057282号公报
发明内容
但是,仅利用专利文献1的应对方法无法充分地防止噪声所造成的半导体模块的误动作。例如,由于受到半导体工艺的精度和粒子(particle)的影响,半导体集成电路的特性具有某种程度的误差。因此,期待对半导体模块充分地实施噪声应对方法且能够判定是否会引起噪声所造成的误动作的测试方法。同时,期待不容易引起噪声所造成的误动作的半导体模块。本发明提供能够通过简单的方法来判定基于噪声的半导体模块的误动作耐受程度的测试方法、和能够更可靠地防止噪声所造成的误动作的半导体模块。
根据本发明的一个方式,半导体模块的测试方法对半导体模块进行测试,所述半导体模块是至少对第1半桥及第2半桥、和用于驱动所述第1半桥及所述第2半桥的半导体集成电路进行树脂密封而成的,其特征在于,该半导体模块的测试方法具有:第1步骤,将构成所述第1半桥的第1高侧开关与第1低侧开关之间的连接点、和构成所述第2半桥的第2高侧开关与第2低侧开关之间的连接点连接于检测部;第2步骤,在所述第1步骤之后,使所述第1高侧开关成为导通状态;第3步骤,在所述第2步骤之后,使所述第1高侧开关成为截止状态;以及第4步骤,在所述第3步骤之后,根据从所述检测部输出的信号,检测所述半导体模块有无误动作。
根据本发明,可提供能够通过简单的方法来判定基于噪声的半导体模块的误动作耐受程度的测试方法、和能够更可靠地防止噪声所造成的误动作的半导体模块。
附图说明
图1是示出包括本发明的实施方式的半导体模块的电机驱动装置的电路图。
图2是示出本发明的实施方式的半导体模块的结构图。
图3是示出本发明的实施方式的半导体模块的测试装置的结构图。
图4是示出本发明的实施方式的半导体模块的测试方法的图。
图5是示出本发明的实施方式的半导体模块的测试方法的图。
标号说明
1:半导体模块;2:电机逆变器;3:半导体集成电路;4:控制装置;5:测试装置;10:密封树脂;21:第1半桥;22:第2半桥;23:第3半桥;31:输出部;32:逻辑部;35:电平移位电路;Q1:第1高侧开关;Q2:第1低侧开关;Q3:第2高侧开关;Q4:第2低侧开关;Q5:第3高侧开关;Q6:第3低侧开关;R1:第1电阻;R2:第2电阻;FET1:第1开关;FET2:第2开关。
具体实施方式
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