[发明专利]芯片集成方法有效
申请号: | 201510518341.2 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN105206541B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 张志红;李勇健;林丙涛;徐全吉;杨镓溢 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 尹丽云 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 集成 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体制造领域,特别是涉及一种音叉石英陀螺芯片与ASIC芯片的集成方法,其中,还涉及一种音叉石英陀螺系统的异构集成方法,所述音叉石英陀螺系统应用于惯性组合导航微系统领域。
背景技术
音叉石英陀螺可用于定位、姿态控制和绝对方向测量,被广泛地应用于在军事、汽车、医学和通信领域,尤其在卫星通讯天线、导弹制导、飞机、导弹飞行控制、GPS导航系统等领域有广阔的应用前景。
目前,音叉石英陀螺芯片的基材是石英、ASIC芯片的基材是硅,音叉石英陀螺芯片形状是H形(如图1所示)尺寸为12mm×2.7mm×0.4mm,ASIC芯片的尺寸为6.6mm×6.6mm×0.3mm。
传统的音叉石英陀螺芯片与ASIC芯片集成,通常采用二维集成,即石英陀螺芯片和ASIC芯片采用多芯片组装的方式,表贴在同一基板的表面,导致集成后的整个系统集成度低、体积大;其中,二维集成的整个系统的尺寸为24mm×24mm×3.3mm,集成度只有50%,不能满足体积小、集成度高的要求。然而,采用TSV芯片三维堆叠的方式,又不能实现石英陀螺芯片与ASIC芯片的三维集成。
因此,需要一种新的集成方式,来实现石英陀螺芯片与ASIC芯片集成。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种芯片集成方法,用于解决现有技术中音叉石英陀螺芯片和ASIC芯片难异构集成的技术难题,避免了传统集成方法构建的集成系统体积大、集成度低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种芯片集成方法,适用于集成音叉石英陀螺芯片和ASIC芯片,所述芯片集成方法至少包括:
S1,提供一基板,将所述基板制作为含预设规格外形与内腔的LTCC基板;
S2,接着在所述ASIC芯片正面制作锡铅共晶焊料凸点;
S3,将所述音叉石英陀螺芯片粘接在所述LTCC基板的内腔;
S4,焊接所述音叉石英陀螺芯片的电极与所述基板之间的引线;
S5,根据锡铅共晶焊料凸点,倒扣焊接所述ASIC芯片与所述LTCC基板。
如上所述,本发明的一种芯片集成方法,具有以下有益效果:
本发明采用了多层LTCC基板内腔集成音叉石英陀螺芯片、在ASIC芯片正面制作焊料凸点,并将其倒扣在集成有音叉石英陀螺芯片的多层LTCC基板上的集成工艺技术,实现了音叉石英陀螺芯片与ASIC芯片的三维异构集成。首先,从根本上解决了音叉石英陀螺芯片与ASIC芯片难异构集成的技术难题;其次,通过该方法不仅提高了整个石英陀螺集成系统的集成度,集成度提高了60%,还减小了整个系统的体积,体积减小了70%。
附图说明
图1显示为本发明实施例中的一种芯片集成方法流程图;
图2显示为本发明实施例中的音叉石英陀螺芯片结构示意图;
图3显示为本发明实施例中的第11层生瓷片冲孔和印刷后的剖面示意图;
图4显示为本发明实施例中的第12至第20层生瓷片冲孔的剖面示意图;
图5显示为本发明实施例中第12至第20层生瓷片填孔后的剖面示意图;
图6显示为本发明实施例中第20层生瓷片表面导带和金焊盘印刷后的剖面示意图;
图7显示为本发明实施例中第20层生瓷片经过叠层、层压、烧结、裁切后的多层LTCC基板剖面示意图;
图8显示为本发明实施例中在图7芯片表面制作焊料凸点后的剖面示意图;
图9显示为本发明实施例中音叉石英陀螺芯片与ASIC芯片集成后的剖面示意图。
元件标号说明:
S1~S5步骤,1、银导带,2、内腔孔,3、金键合区,4、通孔,5、外引出焊盘,6、倒扣焊焊盘,7、内腔,8、衬底粘接区,9、基板,10、ASIC圆片,11、铜导带,12、介质层,13、锡铅共晶焊料球,14、音叉石英陀螺芯片,15、绝缘胶,16、金丝。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所,未经中国电子科技集团公司第二十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510518341.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造