[发明专利]纳米链太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201510518363.9 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN105070790B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 高荣礼;符春林;蔡苇;邓小玲;陈刚 | 申请(专利权)人: | 重庆科技学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 王玉芝,陈英俊 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 太阳能电池 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种纳米链太阳能电池的制备方法。
背景技术
能源危机是当前世界各国面临的重大难题,开发可再生能源是缓解该问题的有效途径。在众多可再生能源中,太阳能因其具有资源丰富、分布广泛、清洁干净等优点而备受青睐。光伏发电是开发太阳能的一种主要形式,其原理是利用光生伏特效应制成光伏电池,将太阳的光能转换成电能。光伏电池主要分为硅、铜铟硒、砷化镓、碲化镉以及聚合物光伏电池等。现有工业生产的薄膜太阳能电池存在转换效率低、稳定性差、生产成本比较高等缺点。要想改变以上缺点,可以通过提高薄膜的制备工艺和技术参数,或者提高光的利用效率。第一种方法面临研发周期长、成本高、技术困难等问题,因此,提高光的利用效率是提高转换效率的重要手段,显得十分必要。要想提高太阳光的利用率,可以通过提高薄膜对太阳光的吸收率,而增加薄膜的厚度可以做到这点。但是,薄膜厚度越厚,势必会降低太阳能电池的稳定性,同时也会增加光生载流子的复合率,降低转换效率。由于纳米线(纳米链)具有一系列薄膜所不具备的性质,例如其具有对光高的吸收率、低的复合率,此外在纳米线(纳米链)的一端具有较强的电场(类似于针尖附近的电场),因此对光生载流子具有较高的搜集效率。因此制备出高质量的、具备特定的织构、较低的缺陷、较高的纯度(高的主相比例)的纳米线(纳米链)是提高太阳能电池光电转换效率的有效手段。因此,如何制备出具有特定织构、高纯度的太阳能电池纳米线(纳米链)就显得十分必要。
目前纳米线及其制备方法的不足之处:
目前制备纳米线的方法主要包水热法,电化学法,溶胶-凝胶法,直接沉淀法,气相沉积法。不管哪种方法,都很难获得具有特定取向的纳米线,而且制备过程比较复杂。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种具有特定取向的纳米链太阳能电池的制备方法。
本发明的目的是这样实现的:
一种纳米链太阳能电池的制备方法,该方法按以下步骤进行:
步骤1)制备电极
取耐高温材料制成的基片,以及用于覆盖基片的围壁,所述围壁包括侧壁、顶壁,所述围壁的燃烧/分解温度低于铁电材料的燃烧/分解温度,在基片的上端面制备下电极,在顶壁的下表面制备上电极;
步骤2)制备容器
将围壁固定在基片上,得到密封结构的容器;
步骤3)制备磁电性胶体
制备磁性纳米微粒、铁电性溶胶,将磁性纳米微粒加入铁电性溶胶中均匀混合,得到磁电性胶体,将磁电性胶体加入容器中;
步骤4)制备纳米链太阳能电池
对容器施加磁场,得到沿着磁场方向的磁性纳米链,施加磁场的同时烘烤容器,直至容器中的磁电性胶体变为凝胶状,然后煅烧容器,至少燃烧/分解掉容器的围壁顶壁后,得到纳米链太阳能电池。
步骤1)中,所述下电极采用脉冲激光沉积法、磁控溅射、溶胶-凝胶法中的一种制备。
步骤1)中,所述上电极采用脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法中的一种制备。
为了在光照时能够得到较大的光电流,优选地,所述容器的厚度既小于容器长度的1/5,又小于容器宽度的1/5,形成片状结构的容器。
为了在较低的温度下燃烧掉围壁,优选地,所述围壁的材料采用塑料。
为了便利地将围壁固定在基片上,优选地,步骤2)中,所述围壁粘接固定在基片上。
优选地,步骤3)中,所述磁性纳米微粒为CFO纳米微粒,所述铁电性溶胶为BTO溶胶。
为了将磁电性胶体加入容器中,优选地,步骤3)中,所述磁电性胶体用注射器注入容器中。
为了得到竖直方向的铁电纳米链,优选地,步骤4)中,沿竖直方向施加磁场,得到竖直方向的铁电纳米链。
为了方便烧蚀掉围壁,优选地,步骤4)中,磁电性胶体变为凝胶状之后去掉磁场,然后煅烧容器。
由于采用了上述技术方案,本发明具有如下有益效果:
1、制备方法简单,只需要将具有铁电性的微粒分散在一定的基液里面,形成铁电性液体。对铁电液体施加磁场使得铁电微粒形成链状。
2、在磁场作用下,具有铁电性的微粒能够发生转动,而且由于在液体中,所以磁场会比较小,由于布朗运动,在磁场下的转向更容易。在固体中需要施加相对较大的电场才能让改变极化方向,电场太大容易造成样品被击穿。
3、通过改变磁场的大小、方向、梯度大小,就可以很容易的调控铁电纳米链的长短粗细。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的