[发明专利]碲化镉纳米线的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及碲化镉纳米线材料的制备领域，具体地，涉及碲化镉纳米线的制备方法。

背景技术

随着材料制备技术的发展，人们可以将若干半导体纳米材料制成多维结构。若空间维度中有两个维度的尺寸都在100nm以下，就称之为一维半导体纳米结构。与相应的零维纳米材料相比，一维的纳米材料因其在空间二维的量子限域效应的不同，会显示出更好的光电性能、磁性、极高的力学韧性，更高的发光效率，较强的热电性能以及较低的激光发射阈值及单电子效应等独特的性能，其应用也更加广泛。通常，一维纳米材料是研究电子输运和力学参数尺寸与维度依赖的理想研究体系，同时也可以作为纳米连接以及功能组元在纳米电子、光学器件中发挥核心作用。

而零维的碲化镉需要组装成为一维的纳米线主要是由气相、液相或者固相形成固态晶体来演化的。目前，制备碲化镉相关纳米线的方法主要有三类：气相法、液相法和模板法。一般来说，模板法是选用具有特定结构的物质作为模板，来引导纳米材料的制备和组装。其中，自组装因其简单、低耗、易操作以及多功能性等优势日益引起人们的极大兴趣。当前，自组装制备碲化镉相关纳米线过程中或操作复杂耗时、或产率不高、或同时需要大型仪器作辅助，使得制备难度加大而且成本很高，对纳米线的高产率制备有一定的影响。

因此，提供一种制备简单，且产率较高，能快速且高效地自组装成一维的碲化镉纳米线的碲化镉纳米线的制备方法是本发明亟需解决的问题。

发明内容

针对上述现有技术，本发明的目的在于克服现有技术中常规采用自组装制备碲化镉相关纳米线的过程或操作复杂耗时、或产率不高、或同时需要大型仪器作辅助，使得制备难度加大而且成本很高，对纳米线的高产率制备有一定的影响的问题，从而提供一种制备简单，且产率较高，能快速且高效地自组装成一维的碲化镉纳米线的碲化镉纳米线的制备方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种碲化镉纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在乙醇、对苯二甲醛和水存在的条件下，将巯基乙酸修饰的碲化镉量子点进行回流，制得碲化镉纳米线。

通过上述技术方案，本发明在乙醇、对苯二甲醛和水存在的条件下，将经过巯基乙酸修饰的碲化镉量子点直接进行回流操作，即可得到产率较高的碲化镉纳米线，从而大大降低了制备的难度，在保证其产率的前提下，大大降低操作的难度，进而通过上述方式实现了制备简单，且产率较高，能快速且高效地自组装成一维的碲化镉纳米线的效果。

本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是实施例1制得的巯基乙酸修饰的碲化镉量子点的透射电镜图；

图2是实施例1制得的碲化镉纳米线的扫描电镜图。

具体实施方式

以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

本发明提供了一种碲化镉纳米线的制备方法，其中，所述制备方法包括：在乙醇、对苯二甲醛和水存在的条件下，将巯基乙酸修饰的碲化镉量子点进行回流，制得碲化镉纳米线。

上述制备方式在乙醇、对苯二甲醛和水存在的条件下，将经过巯基乙酸修饰的碲化镉量子点直接进行回流操作，即可得到产率较高的碲化镉纳米线，从而大大降低了制备的难度，在保证其产率的前提下，大大降低操作的难度，进而通过上述方式实现了制备简单，且产率较高，能快速且高效地自组装成一维的碲化镉纳米线的效果。

所述碲化镉量子点可以按照本领域常规使用的方式进行制备，例如，在本发明的一种优选的实施方式中，为了使制得的碲化镉量子点的产率较高，所述制备方法还可以包括：在pH为10.95-11.05的条件下，将碲源、高氯酸铬和巯基乙酸于水中进行接触反应制得所述巯基乙酸修饰的碲化镉量子点。

所述碲源可以为本领域常规使用的碲源类型，例如，在本发明的一种优选的实施方式中，所述碲源可以为碲氢化钠溶液和/或碲化氢。当然，在本领域中使用的其他类型的碲源在此也可使用，不一一举例说明。