[发明专利]一种高性能钕铈镨铸片磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种含钕铈镨铸片磁体，其特征在于：铸片磁体组份及重量百分含量为：Pr：4.0～5.0％、Nd：17.0～19.0％、Ce：6.5～7.5％、Gd：0.8～1.2％、Ho：0.9～1.3％、B：0.95～1.05％、Al：0.5～1.0％、Cu：0.15～0.20％、Co:0.20～0.40％、余量用Fe补充。

2.根据权利要求1所述一种含钕铈镨铸片磁体，其特征在于：铸片磁体组份及重量百分含量为：Pr：4.5％、Nd：18.0％、Ce：7.0％、Gd：1.0％、Ho：1.1％、B：1.00％、Al：0.8％、Cu：0.18％、Co:0.30％、余量用Fe补充。

3.制备权利要求1或2所述一种含钕铈镨铸片磁体的方法，包括以下步骤：

1)铸片熔炼：将按比例配比的金属原料投入真空感应速凝铸片炉，抽真空，在800～1000℃下熔炼，加热至金属Pr开始熔化时，充入高纯氩气，金属原料融化后经超声混匀，当合金熔液表面结膜后，浇注到旋转的水冷铜棍上，经快速冷却成厚度为0.25～0.35mm的铸片；

2)氢粉碎：将步骤1)得到的铸片投入氢碎炉，在450～560℃下脱氢，得到100～110μm的合金颗粒；

3)气流磨粉碎：将步骤2)得到的合金颗粒在氮气保护下加入气流磨中，经气流磨粉碎成3.4～4.4μm的合金粉末；

4)磁场取向成型：将步骤3)得到的合金粉末投入磁场压机，在1.9T的磁场下取向成型，得到压坯；

5)等静压：将经步骤4)成型后的压坯，再装入等静压机的高压腔中，在190-200MPa的压力下保持10-20s；

6)烧结：将经步骤5)的压坯投入真空烧结炉中，抽真空，在1080～1150℃，恒温2.5～3.5小时；一级回火温度为880～1000℃，恒温1.5～2.5小时；二级回火温度为500～600℃，恒温2.5～4.5小时；最后得到烧结磁体。

4.根据权利要求3所述一种含钕铈镨铸片磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，金属原料融化后经电磁搅拌混匀。

5.根据权利要求3所述一种含钕铈镨铸片磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤6)中烧结温度为1120℃，恒温3小时；一级回火温度为920℃，恒温2小时；二级回火温度为550℃，恒温3小时。