[发明专利]一种碳纳米管的制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种碳纳米管的制备工艺。

背景技术

二十世纪九十年代初.KratschmerI等采用石墨电弧法第一次制取了C60，他们通过对其结构进行研究，发现它为碳元素的另一种同素异构晶体。伴随着科技的不断发展，1991年，日本NEC公司基础研究实验室电子显微镜专家lijimal在高分辨率透射电子显微镜下观察C60结构时，发现了直径4nm-30nm，长达,am量级，管壁呈石墨结构的多层碳分子，这就是今天被广泛关注的碳纳米管，然而事实是lijima当时所发现的不是单壁碳纳米管，而是最小层数为2的多壁碳纳米管。1993年，Iijima课题组和IBM的研究小组分别成功地合成单层的碳纳米管。某种意义上讲，真正意义上的碳纳术管是单壁碳纳米管。由于单壁碳纳米管独特的结构，极高的力学性能，独特的电性质和化学稳定性，引起了世界范围内的许多科学家包括物理学家、化学家和材料学家的极大兴趣，掀起了一殷碳纳米管研究浪潮。近些年来，随着碳纳米管制各工艺的的不断发展，大规模的制备碳纳米管已经成为现实，碳纳米管潜在的应用价值日益受到关注，从目前的应用研究情况来看.碳纳米管材料有望在不久的将来实现规模性的工业应用，为人类生产生活带来方便。

碱纳米管和石墨同样具有良好的导电性能是因为石墨层片的碳原子之间是sp2杂化，每个碳原子有一个未成对电子位于垂直于层片的二轨道上。石墨层片卷曲形成管状的直径和螺旋角是其导电性的决定因素，碳纳米管导电性介于导体和半导体之间。随着螺旋矢量的不同，碳纳米管的能隙宽度可以从零变化到可以和硅的能隙宽度相同。世界上还找不到任何一种物质人们在调制它的导电性能时能够做到如此的随心所欲。碳纳米管的直径一般在几个纳米到几十纳米，长度大约在几个微米甚至更长，单壁碳纳米管的直径仅为约lnm，电子在其中的运动具有量子行为。实际上，一部分直径较小的多壁碳纳米管(大约25nm)也同样表现出量子传输的特性。碳纳米管的管壁上常常含有成对的五边形和七边形，这些缺陷的存在又会产生新的导电行为，因此每一处缺陷都可以看作是一个由很少数目的碳原子(几十个)组成的纳米装置。碳纳米管之间的异质结和“T形结可以看作是金属与金属，或金属与半导体之间的连接。

通常情况下，随着直径和螺旋度的不同，单壁碳纳米管可以具有金属性(即导电能力很强)，也可以具有半导体性：当n＝小，碳纳米管呈金属性，而m＝0、n＝3q(q为整数)时为窄带半导体管，其它类型的均为宽带半导体管，其禁带宽度和半径大致呈反比关系。R.A.Jiahi等对单壁碳纳米管的的电阻进行了研究，采用4点测法直接测量单根管束的电阻率。同时采用4点法测量压成薄片的单壁碳纳米管。

此外，由于碳管的内径可以小至纳米量级，使其电子能带结构比较特殊，波矢被限定于轴向，在小直径的碳纳米管中量子效应尤为明显，故可作为量子管使电子能无阻挡地贯穿，实验中己经发现单壁碳纳米管是真正的量子导线。

碳纳米管具有场发射效应，概括来说：场发射效应是指在足够高的电场作用下，费米面附近的电子克服势垒而成为自由电子的现象。与传统的热发射源热阴极相比，场发射电子源冷阴极具有电子束流高、初始能量离散小(色差小)、工作稳定性高、寿命长等特点，广泛应用于扫描隧道显微镜(STM)和新型电子显微镜及微波放大器中。虽然人们广泛地研究了各种材料的场发射特性，但是尚未建立一个完善的场发射理论，尤其是适用于半导体及纳米材料的理论，目前比较成熟的依然是金属的场发射理论。