[发明专利]半导体制造方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本公开是提交于2012年4月27日且名称为CHEMICALVAPORDEPOSITIONCOATING,ARTICLE,ANDMETHOD(化学气相沉积涂层、制品和方法)的美国专利申请No.13/504,533的部分继续申请，所述专利申请要求提交于2009年10月27日且名称为DIMETHYLSILANECHEMICALVAPORDEPOSITIONCOATINGANDCOATINGPROCESS(二甲基硅烷化学气相沉积涂层和涂覆方法)的美国临时专利申请No.61/255,237和提交于2009年12月7日且名称为OXIDIZEDVAPORDEPOSITIONCOATINGANDCOATINGPROCESS(氧化气相沉积涂层和涂覆方法)的美国临时专利申请No.61/267,228的优先权和权益；本公开是提交于2013年5月23日且名称为WEARRESISTANTCOATING,ARTICLE,ANDMETHOD(耐磨涂层、制品和方法)的美国专利申请No.13/876,328的部分继续申请，所述专利申请要求提交于2010年10月5日且名称为CHEMICALVAPORDEPOSITIONCOATING,ARTICLE,ANDMETHOD(化学气相沉积涂层、制品和方法)的美国临时专利申请No.61/389,777和提交于2011年7月14日且名称为WEARRESISTANTCOATING,ARTICLE,ANDMETHOD(耐磨涂层、制品和方法)的美国临时专利申请No.61/507,650的优先权和权益；本公开并且要求提交于2013年3月26日且名称为CoatedArticleandChemicalVaporDepositionProcess(被涂覆的制品和化学气相沉积方法)的国际申请No.PCT/US13/33807的优先权和权益，所述国际申请要求提交于2012年3月26日且名称为Coating,CoatedArticle,andMethodofApplyingaCoating(涂层、被涂覆的制品及施加涂层的方法)的美国临时专利申请No.61/615,559的优先权和权益，所有这些专利申请据此全文以引用方式并入。

技术领域

本公开涉及半导体制造方法，更具体地讲，涉及包括将官能化层定位在系统中以便生产半导体产品的半导体制造方法。

背景技术

通常，衬底的表面不包括所需的性能特征。未能包括特定的所需性能特征可导致表面在某些环境中降解，不能满足某些性能要求，或它们的组合。例如，在某些环境中，金属、玻璃和陶瓷表面可经受磨损和其他非期望的表面活性，诸如化学吸附、催化活性、腐蚀侵蚀、氧化、副产物积累或粘滞和/或其他非期望的表面活性。

非期望的表面活性可导致其他分子的化学吸附、其他分子的可逆和不可逆的物理吸附、与其他分子的催化反应性、来自外来物质的侵蚀、表面的分子分解、衬底的物理损失、或它们的组合。

为了提供某些所需的性能特征，可在存在金属催化剂的情况下使硅氢化物表面与不饱和烃试剂反应。此类方法存在的缺点是：通常难以从经处理的系统完全移除该催化剂，并且催化剂的存在可重新引入非期望的表面活性。基于无定形硅的化学气相沉积材料还易于被苛性高pH介质所溶解，从而限制其在此类环境中的使用。

可将涂层施加到表面以保护其免受非期望的表面活性影响。将涂层沉积在表面上的一种已知方法是化学气相沉积(CVD)。一般来讲，CVD在受控大气和温度条件下将来自气相的固体材料沉积预定时间而形成涂层。CVD可包括初级处理，然后是官能化(表面反应)以添加预定分子。

然而，尽管先前已普遍使用CVD，但包含硅、碳和氢的分子之前已被认为对于用作CVD前体而言是非期望的或者已在存在额外沉积能量诸如等离子体和微波场的情况下结合其他CVD前体施加。因此，之前通过热CVD技术未实现与此类分子相关的性质。

此类缺点有碍某些领域诸如半导体制造方法中的适用性。在半导体制造方法中与材料接触的表面上的层可导致该方法的非期望效应，诸如衬底处理中的金属离子污染和腐蚀侵蚀。

因此，不存在上述缺点中的一者或多者的半导体制造方法将是本领域所需的。

发明内容

根据本公开的一个实施例，半导体制造方法包括提供被涂覆的制品，该被涂覆的制品具有衬底以及通过经化学气相沉积使二甲基硅烷分解而施加到衬底上的层，所述层由流体材料施加；然后将该被涂覆的制品定位在系统中以便生产半导体产品。