[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基板，具有相互垂直的一第一轴线方向与一第二轴线方向；

一栅极，位于该基板的上表面；

一绝缘层，位于该栅极上；

一源极与一漏极，位于该绝缘层的上表面且该源极与该漏极平行位于该第一轴线方向上，且该源极与该漏极于该基板上分别具有一正投影面，且两个该正投影面是与该栅极部分重叠；以及

一金属氧化物半导体层，位于该源极与该漏极的上表面，该金属氧化物半导体层厚度不大于20纳米，其中该金属氧化物半导体层于该第二轴线方向上完全覆盖该源极与该漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，平行于该第一轴线方向上，该金属氧化物半导体层具有相对的一第一侧缘与一第二侧缘，该源极与该漏极分别具有相对的一第三侧缘与一第四侧缘，且该第一侧缘与该第二侧缘于该第二轴线方向上超出该第三侧缘与该第四侧缘各至少2微米。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极与该金属氧化物半导体层分别具有一栅极长度与一金属氧化物半导体层长度，且分别与该第一轴线方向平行，其中该栅极长度大于该金属氧化物半导体层长度。

4.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，具有相互垂直的一第一轴线方向与一第二轴线方向；

形成一栅极，于该基板上；

形成一绝缘层，覆盖该栅极；

形成一源极与一漏极，于该绝缘层上，该源极与该漏极平行位于该第一轴线方向上，且该源极与该漏极于该基板上分别具有一正投影面，且两个该正投影面是与该栅极部分重叠；

涂布一金属氧化物前趋物溶液以覆盖该源极、该漏极与该绝缘层；

对该金属氧化物前趋物溶液进行一固化步骤形成一金属氧化物半导体层；以及

执行一图案化步骤，图案化该金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层于该第二轴线方向上完全覆盖该源极与该漏极。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，经由该固化步骤形成的该金属氧化物半导体层的厚度不大于20纳米。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，该固化步骤包括一光照步骤或一加热步骤。

7.如权利要求4所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，图案化该金属氧化物半导体层，于该第二轴线方向的一第一侧缘与相对的一第二侧缘超出该源极与该漏极于该第二轴线方向的一第三侧缘与相对的一第四侧缘各至少2微米。

8.如权利要求4所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，该图案化步骤包括以湿式蚀刻处理而图形化该金属氧化物半导体层。