[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区域；第一栅极结构，位于衬底的顶面上方；第二栅极结构，位于衬底的顶面上方；一对第一间隔件，位于第一栅极结构的每一个侧壁上；一对第二间隔件，位于第二栅极结构的每一个侧壁上；绝缘层，至少位于第一栅极结构上方；第一导电部件，位于有源区域上方；以及第二导电部件，位于衬底上方。此外，第二栅极结构邻近第一栅极结构，第一导电部件的顶面与第二导电部件的顶面共面。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

最小化集成电路(IC)的最近趋势导致了更小的器件，该更小的器件消耗更低的功率但是以更高速度提供更多功能。为了实现这些优点中的一种或多种，考虑IC设计和/或制造中的多种开发。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区域；第一栅极结构，位于所述衬底的顶面上方；第二栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第二栅极结构邻近所述第一栅极结构；一对第一间隔件，位于所述第一栅极结构的每一个侧壁上；一对第二间隔件，位于所述第二栅极结构的每一个侧壁上；绝缘层，至少位于所述第一栅极结构上方；第一导电部件，位于所述有源区域上方；以及第二导电部件，位于所述衬底上方，其中，所述第一导电部件的顶面与所述第二导电部件的顶面共面。

该半导体器件还包括第三导电部件，其中，所述第三导电部件位于所述第一导电部件或所述第二导电部件上方。

在该半导体器件中，所述第一导电部件具有锥形。

在该半导体器件中，所述第二导电部件具有L形或U形。

在该半导体器件中，所述第二导电部件的一部分嵌入所述第一导电部件中。

在该半导体器件中，所述第一导电部件或所述第二导电部件包括钨。

在该半导体器件中，所述绝缘层包括氮化硅。

根据本发明的另一方面提供了一种集成电路，包括：衬底，包括：源极部件；和漏极部件；第一栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第一栅极结构位于所述源极部件与所述漏极部件之间；第二栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第二栅极结构邻近所述第一栅极结构和所述源极部件；一对第一间隔件，位于所述第一栅极结构的每一个侧壁上；一对第二间隔件，位于所述第二栅极结构的每一个侧壁上；绝缘层，至少位于所述第一栅极结构上方；第一导电部件，位于所述源极部件或所述漏极部件上方，其中，所述第一导电部件的顶面与所述绝缘层的顶面共面；第二导电部件，位于所述衬底上方；以及第三导电部件，其中，所述第三导电部件位于所述第一导电部件或所述第二导电部件上方。

在该集成电路中，所述第一导电部件或所述第二导电部件具有L形。

在该集成电路中，所述第二导电部件的一部分位于所述第一导电部件、所述第二栅极结构以及所述第二栅极结构的每一个侧壁上的一对第二间隔件之间。

在该集成电路中，所述一对第二间隔件包括：第一侧壁间隔件；以及第二侧壁间隔件，其中，所述第一侧壁间隔件的顶面与所述第二侧壁间隔件的顶面不共面。

在该集成电路中，所述第二导电部件位于所述第二侧壁间隔件上方。

在该集成电路中，所述第二导电部件电连接至所述第二栅极结构。

在该集成电路中，所述第二导电部件电连接至所述漏极部件或所述源极部件。

在该集成电路中，所述第二导电部件的一部分位于所述第二栅极结构上方。

在该集成电路中，所述绝缘层嵌在所述第一栅极结构的每一个侧壁上的一对第一间隔件之间。