[发明专利]一种采用TEOS源的低温镀膜方法在审
| 申请号： | 201510523287.0 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105063576A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 于棚;刘婧婧;杜媛婷;李晶;吴围;商庆燕;常晓娜 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/40 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 teos 低温 镀膜 方法 | ||
1.一种采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：该方法可在真空反应腔处于低温条件下，利用等离子体增强化学气相沉积法制备出孔洞结构覆盖率高，电学性能优良的氧化硅薄膜。
2.如权利要求1所述的采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：所述真空反应腔的低温条件为小于200℃。
3.如权利要求1所述的采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：所述制备氧化硅薄膜所用的反应源为TEOS，He及O2。
4.如权利要求1所述的采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：等离子体增强化学气相沉积方法是通过下述步骤实现的，将裸硅片传入真空反应腔，腔体在真空状态时开始通O2及He达到反应压力，通气一段时间后向腔体通入已加热汽化的TEOS气体，同时控制电极板间距离，开启射频电源，达到设定射频功率后，在电极间产生等离子体开始在裸硅片表面沉积氧化硅薄膜。
5.如权利要求4所述的采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：所述O2流量为1000sccm-8000sccm，He流量为1000sccm-8000sccm，反应压力为：1torr-9torr，TEOS流量为：1g/min-10g/min，电极板间距离为7mm-28mm，射频功率为700W-1900W。
6.如权利要求4所述的采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：所述通气一段时间为5s-60s。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
