[发明专利]基片集成同轴波导互连阵列结构

权利要求书

1.一种基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，采用准封闭式结构，基片集成同轴波导互连阵列结构的物理结构包括：至少一个单通道结构，所述单通道结构包括：第一外导体层、第一介质层、内导体层、第二介质层、第二外导体层以及金属化通孔阵列；其中：

所述内导体层设置于第一外导体层和第二外导体层之间；所述第一介质层设置于第一外导体层和内导体层之间，所述第二介质层设置于内导体层和第二外导体层之间；所述单通道结构纵向贯穿设置有金属化通孔阵列；

所述第一外导体层、第二外导体层以及金属化通孔阵列共同组成单通道结构的外导体；多个单通道结构在水平和垂直两个方向形成阵列，共享外导体；

所述基片集成同轴波导互连阵列结构采用TEM模式传输信号，且能够同时并行传输多通道信号。

2.根据权利要求1所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，垂直方向相邻两个单通道结构共用同一层外导体层，即，上一层单通道结构的第二外导体层为下一层单通道结构的第一外导体层。

3.根据权利要求1所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，所述金属化通孔阵列为两列，两列金属化通孔阵列沿物理结构的长度方向等间距排列；水平方向相邻两个单通道结构共用同一列金属化通孔阵列。

4.根据权利要求3所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，每一列金属化通孔阵列均包括若干个金属化通孔，相邻两个金属化通孔之间等间距设置。

5.根据权利要求4所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，每一个金属化通孔的通孔直径均为d，相邻两个金属化通孔之间的间距为s，相邻两列金属化通孔阵列之间的宽度为a；

每一列金属化通孔阵列的金属化通孔个数取决于物理结构的长度。

6.根据权利要求1所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，所述第一外导体层、内导体层和第二外导体层的厚度均为t；第一介质层和第二介质层的厚度均为h；所述物理结构的长度为1。

7.根据权利要求3所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，所述内导体层包括至少一个离散设置的金属单体，所述金属单体在物理结构的宽度方向上位于相邻两列金属化通孔阵列之间。

8.根据权利要求7所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，所述金属单体的宽度为b，且宽度b小于外导体层的宽度。

9.根据权利要求1所述的基片集成同轴波导互连阵列结构，其特征在于，所述第一外导体层和第二外导体层均采用金属层。