[发明专利]过电流保护模块及供电装置在审
申请号: | 201510526450.9 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN105162075A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 杨天宇;吴春芸;双强;张春宇 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 保护 模块 供电 装置 | ||
1.一种过电流保护模块,其特征在于,包括:
差分放大器,用于对采样电阻上的采样电压进行差分放大,并输出比较电压;
数控电位器,用于以数控方式调整输出的参考电压值;
电压比较器,所述电压比较器的比较电压输入端与所述差分放大器的输出端相连接,并且所述电压比较器的参考电压输入端与所述数控电位器的输出端相连接,用于对由所述比较电压输入端输入的比较电压以及由所述参考电压输入端输入的参考电压进行比较;
开关管,所述开关管的控制端与所述电压比较器的输出端相连接,用于根据所述电压比较器的比较结果控制电流的通断。
2.根据权利要求1所述的过电流保护模块,其特征在于,所述数控电位器包括:按键型数控电位器或者总线型数控电位器。
3.根据权利要求2所述的过电流保护模块,其特征在于,所述按键型数控电位器包括:
按键接口电路,用于从输入按键接收电阻控制数值;
第一存储和取消控制电路,用于根据使能信号切换所述电阻控制数值的存储或取消;
第一存储电路,用于根据所述第一存储和取消控制电路输出的控制信号存储电阻控制数值;
第一上升/下降计数电路,与所述按键接口电路连接,用于对所述电阻控制数值进行计数;
第一解码电路,与所述第一上升/下降计数电路连接,用于对所述第一上升/下降计数电路输入的计数值进行解码,已根据解码后的信号控制第一转接开关阵列的导通或断开;
第一转接开关阵列,与所述第一解码电路的输出信号连接,用于根据所述第一解码电路的输出信号控制电阻阵列;
第一电阻阵列,用于在所述第一转接开关阵列的控制下确定滑动端位置,以调整输出的参考电压值。
4.根据权利要求3所述的过电流保护模块,其特征在于,所述总线型数控电位器包括:
总线接口电路,用于从总线信号中接收电阻控制数值;
第二存储和取消控制电路,用于根据使能信号切换所述电阻控制数值的存储或取消;
第二存储电路,用于根据所述第二存储和取消控制电路输出的控制信号存储电阻控制数值;
第二上升/下降计数电路,与所述总线接口电路连接,用于对所述电阻控制数值进行计数;
第二解码电路,与所述第二上升/下降计数电路连接,用于对所述第二上升/下降计数电路输入的计数值进行解码,已根据解码后的信号控制第二转接开关阵列的导通或断开;
第二转接开关阵列,与所述第二解码电路的输出信号连接,用于根据所述第二解码电路的输出信号控制第二电阻阵列;
第二电阻阵列,用于在所述第二转接开关阵列的控制下确定滑动端位置,以调整输出的参考电压值。
5.根据权利要求3或4所述的过电流保护模块,其特征在于,所述第一存储电路包括:易失性存储电路或者非易失性存储电路;
所述第二存储电路包括:易失性存储电路或者非易失性存储电路。
6.根据权利要求5所述的过电流保护模块,其特征在于,所述非易失性存储电路包括:多次可编程存储电路或一次可编程存储电路。
7.根据权利要求4所述的过电流保护模块,其特征在于,所述总线接口电路包括:I2C总线接口电路、SPI总线接口电路或Microwire总线接口电路。
8.根据权利要求1所述的过电流保护模块,其特征在于,所述开关管包括:双极型晶体管BJT或金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET。
9.一种供电装置,其特征在于,包括:
采样电阻;以及
根据权利要求1至8任一所述的过电流保护模块。
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