[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的第三区，所述方法包括：

提供横跨第一区、第二区和第三区的基板；

在基板上形成第一初始有源图案和第二初始有源图案，使得第一初始有源图案和第二初始有源图案从基板突出，第一初始有源图案从第一区延伸到第三区中以与第三区中的基板叠置，第二初始有源图案从第二区延伸到第三区中，从而也与第三区中的基板叠置；

在第一区和第二区中的基板上形成掩模图案，而不在第三区中形成掩模图案，从而使基板在第三区中暴露；

利用掩模图案作为蚀刻掩模来执行包括蚀刻第一初始有源图案和第二初始有源图案的第一蚀刻工艺以分别由第一初始有源图案和第二初始有源图案形成第一有源图案和第二有源图案；以及

在基板上形成栅极结构，所述栅极结构包括与第一有源图案交叉的第一栅极结构和与第二有源图案交叉的第二栅极结构，

其中，第一有源图案在第一方向上纵向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开，

第二有源图案沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此分隔开，

第一方向跨过第一区、第二区和第三区延伸，

第一有源图案中的相邻的第一有源图案之间在第二方向上的距离与第二有源图案中的相邻的第二有源图案之间在第二方向上的距离不同，

其中，第一蚀刻工艺在第三区中形成第二沟槽，在第三区中的第二沟槽的底部被设置在比限定第一初始有源图案和第二初始有源图案的第一沟槽的底部的水平低的水平，第二沟槽的沿着第一方向的最大宽度限定第三区域的沿着第一方向的宽度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，第一初始有源图案中的每个第一初始有源图案的形成包括形成在第一方向上均纵向延伸的一对第一线图案，并形成使第一线图案的相邻的端部在第三区中彼此连接的第一连接图案，以及

第二初始有源图案中的每个第二初始有源图案的形成包括形成在第一方向上均纵向延伸的一对第二线图案，并形成使第二线图案的相邻的端部在第三区中彼此连接的第二连接图案。

3.如权利要求2所述的方法，其中，第一蚀刻工艺去除第一连接图案和第二连接图案。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述一对第一线图案之间在第二方向上的距离不同于所述一对第二线图案之间在第二方向上的距离。

5.如权利要求4所述的方法，其中，第一初始有源图案和第二初始有源图案被形成为使得第一初始有源图案中的相邻的第一初始有源图案之间在第二方向上的距离基本等于所述第一线图案之间的距离，

第二初始有源图案中的相邻的第二初始有源图案之间在第二方向上的距离基本等于所述第二线图案之间的距离。

6.如权利要求1所述的方法，其中，第一初始有源图案和第二初始有源图案的形成包括：

在包括第一区和第二区的基板上形成硬掩模；

在第一区中的硬掩模上形成第一牺牲图案并且在第二区中的硬掩模上形成第二牺牲图案；

分别在第一牺牲图案和第二牺牲图案的侧壁表面上形成第一间隔部和第二间隔部；

去除第一牺牲图案和第二牺牲图案；

蚀刻被第一间隔部和第二间隔部暴露的硬掩模以分别在第一区和第二区中形成第一硬掩模图案和第二硬掩模图案；以及

利用第一硬掩模图案和第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻基板的上部，以形成限定第一初始有源图案和第二初始有源图案的第一沟槽。

7.如权利要求6所述的方法，其中，第一牺牲图案和第二牺牲图案的形成包括：

在硬掩模上形成牺牲层；

分别在第一区和第二区中在牺牲层上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案；以及

利用第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻牺牲层。