[发明专利]一种SOI横向功率器件耐压结构及其制备方法

权利要求书

1.一种SOI横向功率器件耐压结构，用于改善SOI横向功率器件的动态耐压，其特征在于包括衬底层、埋氧层、有源层，埋氧层设置于衬底层与有源层之间，在埋氧层和衬底层之间设有浓度从源到漏减小的P型掺杂层，在源漏之间的漂移区采用均匀掺杂。

2.根据权利要求1所述的耐压结构，其特征在于P型掺杂层的厚度为0.5‐1um，P型掺杂层浓度变化范围为2×10¹⁷‐4×10¹⁴cm^‐3之间。

3.根据权利要求1所述的耐压结构，其特征在于埋氧层为SiO₂介质，衬底层为P型硅衬底，P型掺杂层为P型硅衬底变掺杂层。

4.根据权利要求1所述的耐压结构，其特征在于有源层为硅材料。

5.根据权利要求1所述的耐压结构，其特征在于还设置有n⁺漏区、n⁺源区、p阱、n^‐漂移区，n⁺漏区上方为漏电极，p阱和n^‐漂移区上方为栅氧化层，栅氧化层上方为栅电极，n⁺源区上方为源电极，P型掺杂层自n⁺源区到n⁺漏区方向浓度依次降低。

6.权利要求1所述的SOI横向功率器件耐压结构的制备方法，其特征在于包括在衬底层上，分区进行离子注入，形成一层P型掺杂层的步骤。