[发明专利]Cu‑Ga合金溅射靶有效
| 申请号： | 201510527545.2 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105525261B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 吉泽彰;卫藤雅俊 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 吕琳,杨生平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，其由含有15at％以上且不足30at％的Ga，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金制成，其中，
作为不可避免的杂质C的浓度为30质量ppm以下，作为不可避免的杂质O的浓度为50质量ppm以下，露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径为20μm以上的夹杂物的个数密度为0.5个/mm2以下。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
观察溅射面时的所述夹杂物的总面积占观察面积的比例为0.02％以下。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径不足20μm的夹杂物的个数密度为15个/mm2以下。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径为10μm以上且不足20μm的夹杂物的个数密度为1个/mm2以下。
5.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
作为不可避免的杂质S的浓度为10质量ppm以下。
6.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
所述溅射靶为圆筒形。
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