[发明专利]一种遮光层的制作方法及阵列基板有效
申请号: | 201510528836.3 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN105206564B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 杜海波;申智渊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 遮光 制作方法 阵列 | ||
1.一种遮光层的制作方法,其特征在于,所述遮光层的制作方法包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板正面包括一通道层;
在所述阵列基板背面上涂敷感光光阻;所述感光光阻在光作用下发生聚合固化,可阻止光的穿透,其中,采用液态光固化Ink材料作为所述感光光阻;
将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上,以使所述感光光阻填充到所述纳米压印模具上的空腔上;所述空腔处为透光区域,其他位置为不透光区域;
对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光,将所述空腔中的所述感光光阻固化在所述阵列基板背面上;
去除所述空腔外区域的所述感光光阻,以形成遮光层,其中所述遮光层的位置对应所述通道层的位置。
2.根据权利要求1所述的遮光层的制作方法,其特征在于,在所述提供一阵列基板的步骤之后,还包括:
在所述阵列基板背面上制作第一对位标记;
所述第一对位标记,用于与具有所述纳米压印模具的玻璃上的第二对位标记进行对位。
3.根据权利要求2所述的遮光层的制作方法,其特征在于,所述第一对位标记设置于所述阵列基板背面的四个边角位置处。
4.根据权利要求1或2所述的遮光层的制作方法,其特征在于,制作所述纳米压印模具的步骤,包括:
提供一玻璃,
在所述玻璃上制作所述纳米压印模具,所述纳米压印模具具有呈矩阵排列的空腔。
5.根据权利要求4所述的遮光层的制作方法,其特征在于,
在具有所述纳米压印模具的玻璃上制作第二对位标记;
所述第二对位标记,用于与所述阵列基板上的第一对位标记进行对位。
6.根据权利要求5所述的遮光层的制作方法,其特征在于,所述将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上的步骤,包括:
将所述玻璃上的第二对位标记与所述阵列基板上的第一对位标记进行对位,将所述纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上。
7.根据权利要求1所述的遮光层的制作方法,其特征在于,所述对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光的步骤,包括:
对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行UV曝光。
8.根据权利要求1所述的遮光层的制作方法,其特征在于,所述去除所述空腔外区域的所述感光光阻,以形成遮光层的步骤,包括:
使用化学洗剂或蚀刻工艺,去除所述空腔外区域的所述感光光阻,以形成遮光层。
9.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
一遮光层,用于对沟道的多晶硅进行光遮挡;其中,所述遮光层是采用如权利要求1至8任一项所述的遮光层的制作方法制成的;
一玻璃基板,设置于所述遮光层上方;
一衬垫层,设置于所述玻璃基板上方;
一介质层,设置于所述衬垫层上方;
一通道层,设置于所述介质层上方,所述通道层包括沟道的多晶硅,其中所述通道层的位置对应所述遮光层的位置;
一栅极绝缘层,设置于所述通道层上方;
一第一金属层,设置于所述栅极绝缘层上方,用于形成栅极;
一隔离层,设置于所述第一金属层上方,用于隔离所述第一金属层和第二金属层;
一欧姆接触层,设置于所述隔离层上方;
一第二金属层,设置于所述欧姆接触层上方,用于形成一源极和一漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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