[发明专利]用于处理晶片状物件的方法和装置

权利要求书

1.一种用于处理晶片的装置，所述装置包括：

处理室，所述处理室提供气密封装；

位于所述处理室内并在所述晶片上方的旋转卡盘，其中所述旋转卡盘包括第一板，其中所述第一板位于所述晶片上方并且与所述旋转卡盘一起旋转，其中所述旋转卡盘适于保持所述晶片，并且其中所述第一板通过第一冷却流体冷却；

加热器，其相对于所述旋转卡盘定位并且面向所述晶片的下表面，其中所述加热器被配置为加热所述晶片的所述下表面而不接触所述晶片其中所述加热器发射波长在390至550纳米之间的范围内的具有最大强度的辐射；

其中，所述旋转卡盘将所述晶片保持在所述第一板和所述加热器之间，其中在所述晶片的上表面上没有设置加热器，并且其中所述晶片的所述上表面与所述下表面相反；以及

第一液体分配器，其相对于所述卡盘定位并被配置为将工艺液体分配到所述晶片的所述上表面，

其中，

所述处理室包括在所述晶片的上方的上部区域和在所述晶片的下方的下部区域，所述第一液体分配器的出口被定位在所述上部区域内，所述加热器被定位在所述下部区域内，以及

所述加热器不可旋转地安装在所述处理室内。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述旋转卡盘包括位于所述处理室内并且被定位在所述处理室外的定子包围的磁性环转子。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述旋转卡盘由马达驱动，并且

所述马达的输出被传递到与所述旋转卡盘连接的旋转轴。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述加热器发射波长在400至500纳米之间的范围内的具有最大强度的辐射。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述加热器包括成阵列的蓝色发光二极管。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述成阵列的蓝色发光二极管占据了与所述晶片占据的面积相等的面积或比所述晶片占据的面积大的面积。

7.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括臭氧产生器，所述臭氧产生器被配置成将臭氧气体输送到所述处理室的气体入口。

8.根据权利要求7所述的装置，其中：

所述气体入口相对于所述旋转卡盘定位并在干燥过程中将所述臭氧气体朝向所述晶片的所述上表面输送；并且

所述加热器配置为加热所述晶片以激活在所述处理室内的所述臭氧气体。

9.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括当所述晶片被所述旋转卡盘保持时设置在所述加热器和所述晶片之间的第二板，其中所述第二板对于由所述加热器发射的辐射是透明的。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第二板由石英或蓝宝石制成。

11.根据权利要求9所述的装置，其中所述第二板被放置在所述旋转卡盘的主体的下方且当所述晶片被所述旋转卡盘保持时在所述晶片的下方。

12.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一板与所述第一液体分配器位于所述晶片的同一侧上，并且

所述第一板保护所述处理室的一侧的内部不受从所述晶片甩掉的液滴的影响。

13.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括位于所述晶片的下方的第二液体分配器，并且所述第二液体分配器与所述加热器位于所述晶片的同一侧上。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述加热器被配置成加热所述晶片至超过300℃的温度。