[发明专利]一种具有高介电性能的MOF薄膜材料及其制备与应用

权利要求书

1.一种金属-有机框架化合物薄膜，其特征在于，该薄膜由金属-有机框架化合物{[H₂N(CH₃)₂][Zn(TBTC)]}·2DMF·EtOH构成。

2.如权利要求1所述的金属-有机框架化合物薄膜，其特征在于，其所述的化合物{[H₂N(CH₃)₂][Zn(TBTC)]}·2DMF·EtOH由有机配体1,3,5-tris[4-(carboxyphenyl)oxamethyl]-2,4,6-trimethylbenzene，H₃TBTC与金属锌离子配位形成。

3.如权利要求1或2所述的金属-有机框架化合物薄膜，其特征在于，所述薄膜的厚度范围是5μm～25μm。

4.一种权利要求1所述的金属-有机框架化合物薄膜的制备方法，其特征在于：采用电化学法制备，包括如下步骤：

(1)Zn(NO₃)₂·6H₂O，H₃TBTC和氟化铵按一定的摩尔比溶解在一定体积比的DMF/EtOH/H₂O混合溶液中，加热的环境下搅拌10～30min；

(2)溶液中通氮气1～2个小时；

(3)将金属锌片电极插入混合溶液中并在电极两端加一定的电压，反应一定的时间，得到金属锌片负载的不同厚度的金属-有机框架化合物薄膜。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中Zn(NO₃)₂·6H₂O，H₃TBTC和氟化铵的摩尔比为：1～3:0.5～2:0.5～3，DMF/EtOH/H₂O的体积比为2.5～6:0.5～1.5:0.5～1.5。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中电极两端所加的电压为0.5V～3V，电极面积的长*宽为1～5cm*1～2cm，反应的时间为30s～15min。

7.一种权利要求1所述的金属-有机框架化合物薄膜在电子器件中的应用，其特征在于，所述的应用为栅极介电器件的应用，弹性模量和硬度测试以及漏电和击穿电压的测试。