[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)将已经沉积好金属背电极和前驱金属合金层的铜铟镓基板以40～60°的角度放置在真空腔的工作盘上，用电子束蒸发法在其上制备厚度为100～800nm的第一硒膜，电子束蒸发法的参数为：蒸发速率工件盘转速为12～43r/min，第一硒膜的均匀性控制在±5nm以内；

(2)将步骤(1)制得的具有硒膜的铜铟镓基板以15～95℃/min的速率加热至100～300℃，同时通入纯度为99.5～99.999％的惰性气体，并保持10kPa～100kPa的恒定压力；

(3)继续以15～95℃/min的速率加热至300～600℃，保持10kPa～100kPa的恒定压力，同时用电子束蒸发法和离子源辅助硒化法在第一硒膜上制备厚度为500nm～1000nm的第二硒膜，电子束蒸发法的参数为：蒸发速率工件盘转速为1～17r/min，离子源辅助硒化法的参数为：纯度在99.5％以上的氩气气氛，工作电压在300～700V，电流在2.5～7.5A，第二硒膜的均匀性控制在±5nm以内；

(4)将温度降低到200℃，排出真空腔内的气体，即得产品。

2.如权利要求1所述的一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的电子束蒸发法的参数为：蒸发速率工件盘转速为15～40r/min。

3.如权利要求1所述的一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的惰性气体为氩气或氮气。

4.如权利要求1所述的一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的电子束蒸发法的参数为：蒸发速率工件盘转速为1～15r/min。

5.如权利要求1所述的一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的离子源辅助硒化法的参数为：纯度在99.5％以上的氩气气氛，工作电压在300～650V，电流在3.0～7.0A。

6.如权利要求1所述的一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)和(3)中的加热的速率为20～90℃/min。

7.如权利要求1所述的一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)和(3)中的加热的方式为卤素灯照下加热或者电阻丝上加热，同时采用光辅助提高硒分子的活性。