[发明专利]固态成像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固态成像装置，其特征在于，具有：

第一的第一导电型阱；

第一的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中；

第二的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中；

第三的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中；

第一电极，其隔着第一绝缘膜而被形成在所述第一的第一导电型阱的表面上；

第二电极，其隔着第二绝缘膜而被形成在所述第一的第一导电型阱的表面上；

第一导电型扩散层，其被形成在所述第一的第二导电型扩散层的表面上；

第二的第一导电型阱，其被形成在所述第一的第二导电型扩散层的侧面与所述第一的第一导电型阱的边界处，

所述第一的第二导电型扩散层通过所述第一电极而与所述第二的第二导电型扩散层连接，

所述第一的第二导电型扩散层通过所述第二电极而与所述第三的第二导电型扩散层连接，

在所述第一的第一导电型阱的表面上形成有位于所述第一电极与所述第二电极之间的元件分离膜，

位于所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一的第二导电型扩散层位于所述元件分离膜的相互之间，

所述第二的第一导电型阱被形成在所述元件分离膜下方，

所述第一导电型扩散层被形成在所述元件分离膜的元件区域侧。

2.如权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，

所述第二的第一导电型阱被形成在所述元件分离膜的元件区域侧，

所述第一导电型扩散层与所述第二的第一导电型阱连接。

3.如权利要求1或2所述的固态成像装置，其特征在于，

所述第一导电型扩散层及所述第二的第一导电型阱各自的浓度与所述第一的第一导电型阱的浓度相比较高。

4.如权利要求1或2所述的固态成像装置，其特征在于，

与同所述第一电极对置的所述第二电极的面的长度方向平行的方向上的所述第一的第二导电型扩散层的宽度在所述第二电极侧比在所述第一电极侧宽。

5.如权利要求1或2所述的固态成像装置，其特征在于，

与同所述第一电极对置的所述第二电极的面的长度方向平行的方向上的所述第一导电型扩散层的宽度在所述第二电极侧比在所述第一电极侧窄。

6.如权利要求1或2所述的固态成像装置，其特征在于，具有：

第三电极，其隔着第三绝缘膜而被形成在所述第一的第一导电型阱的表面上；

第四的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中，

所述第二的第二导电型扩散层通过所述第三电极而与所述第四的第二导电型扩散层连接。

7.如权利要求1或2所述的固态成像装置，其特征在于，

具有第四电极，该第四电极隔着第四绝缘膜而被形成在所述第一的第二导电型扩散层的表面上，

所述第四电极位于所述第一电极的旁边。