[发明专利]一种褶皱状石墨烯的制备方法有效
申请号: | 201510532088.6 | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN105060286B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 狄增峰;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;史晓华;张苗 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C01B32/186 | 分类号: | C01B32/186 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 褶皱 石墨 制备 方法 | ||
1.一种褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于,包括:
提供一催化基底,将所述催化基底放入生长腔室,往所述生长腔室通入碳源,并将所述催化基底加热至预设温度,在所述催化基底表面生长得到石墨烯;
在非氧化性保护气氛下,调节降温速率,使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱;其中,将降温速率调节至大于100℃/min,得到平均褶皱高度大于1.5nm的褶皱状石墨烯;或者将降温速率调节至5~100℃/min,得到平均褶皱高度为0.8~1.5nm的褶皱状石墨烯;或者将降温速率调节至小于5℃/min,得到平均褶皱高度小于0.8nm的褶皱状石墨烯。
2.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述催化基底的顶层材料为锗。
3.根据权利要求2所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述催化基底为体锗、绝缘体上锗、体硅上外延锗或者III-V族材料上外延锗。
4.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述预设温度的范围是800~920℃。
5.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述降温速率的范围是1~200℃/min。
6.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述褶皱状石墨烯为单层石墨烯。
7.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述非氧化性保护气氛为氢气与氩气的混合气。
8.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:所述碳源包括甲烷、乙烯、乙炔、苯及PMMA中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的褶皱状石墨烯的制备方法,其特征在于:通过热化学气相沉积法、低压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法在所述催化基底表面生长出所述褶皱状石墨烯。
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