[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

伴随着大规模集成电路(LargeScaleIntegratedCircuit：以下称为LSI)的高集成化，推进了电路图案的微细化。

为了使许多半导体器件集成在较窄面积上，必须减小器件的尺寸而形成，为此，必须减小想要形成的图案的宽度和间隔。

由于近年来的微细化，向微细构造表面形成均匀的膜，特别是向纵向上深或者横向上窄的空隙构造(槽)表面形成氧化膜，逐渐达到技术极限。另外，由于晶体管的微细化，要求形成薄且均匀的栅极绝缘膜、栅电极。并且，为了提高半导体器件的生产性，要求缩短每一片衬底的处理时间。

发明内容

发明要解决的问题

近年来的LSI、DRAM(DynamicRandomAccessMemory：动态随机存取存储器)、FlashMemory(闪存)所代表的半导体器件的最小加工尺寸(图案尺寸)变得非常小。在SADP(self-aligneddoublepatteming：自对准双重图案)中，在用光刻制造的图案(突起)侧壁、突起间的底上直接形成间隔物膜。在形成该间隔物膜等时，要求在图案的侧壁或底部上形成膜厚没有偏差的良好的台阶覆盖(stepcoverage)的膜。这是由于，通过形成良好的台阶覆盖的膜，能够使半导体器件的特性在槽间均匀，能够抑制半导体器件的特性偏差。

本发明的目的在于提供一种能够使形成于衬底上的膜的特性提高，并且使制造生产率提高的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

用于解决问题的手段

根据一技术方案，提供一种衬底处理装置，具有：

收容衬底的处理室；第一处理气体供给部，向所述衬底供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向所述衬底供给第二处理气体；气化器剩余量测量部，测量设置于所述第一处理气体供给部的气化器内的所述第一处理气体原料的剩余量；控制部，构成为根据所述气化器剩余量测量部测量的所述剩余量，变更供给所述第一处理气体和所述第二处理气体的循环数。

发明的效果

根据本发明的衬底处理装置及半导体器件的制造方法，能够使形成于衬底上的膜的特性提高，并且使制造生产率提高。

附图说明

图1是一实施方式的衬底处理装置的概略构成图。

图2是在一实施方式中优选使用的衬底处理装置的气体供给系统的概略构成图。

图3是在一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图。

图4是表示一实施方式的衬底处理工序的流程图。

图5是表示一实施方式的循环数变更工序的流程图。

图6是表示一实施方式的循环速率的变化的图。

图7是表示一实施方式的循环速率的变化的图。

图8是一实施方式的衬底处理系统的概略构成图。

图9是一实施方式的衬底处理系统的气体系统的概略构成图。

附图标记说明

124远程等离子体单元(活化部)

180气化器

190气化器剩余量测量部

200晶片(衬底)

201处理室

202处理容器

212衬底载置台

213加热器

221排气口(第一排气部)

234簇射头

234a贯通孔

231b簇射头排气口(第二排气部)

具体实施方式

以下，说明本发明的实施方式。

对于伴随着间隔物膜的薄膜化而衬底间的膜不均匀的问题，发明人们发现了以下原因。在依次供给原料气体和反应气体的成膜法中，供给原料气体和反应气体的每一个循环的成膜膜厚(循环速率)会变动。特别是间隔物膜为约5nm以下且循环速率为/cycle时，即使在成膜工序中进行的全部循环数中的、一个循环中循环速率微小地变动的情况下，也会影响间隔物膜。

<第一实施方式>

以下，参照附图说明第一实施方式。

(1)衬底处理装置的构成

首先，说明第一实施方式的衬底处理装置。

以下说明本实施方式的处理装置100。如图1所示，衬底处理装置100是高介电常数绝缘膜形成单元，构成作为单片式的衬底处理装置。在衬底处理装置中，进行上述半导体器件的制造的一个工序。