[发明专利]纳米间隙的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种纳米间隙的制备方法，包括：

1)在沉积第一金属薄膜的样品中的金属薄膜上进行光刻处理，得到被部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品；

2)对得到的被部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品中光刻胶未保护部分的第一金属进行刻蚀，得到刻蚀后的样品；

3)在刻蚀后的样品上沉积金属氧化物，得到沉积有金属氧化物的样品；

4)对沉积有金属氧化物的样品中水平方向沉积的金属氧化物刻蚀，得到去除了水平方向沉积的金属氧化物的样品；

5)在去除了水平方向沉积的金属氧化物的样品上沉积第二金属，得到沉积第二金属薄膜的样品；

6)将沉积第二金属薄膜的样品中的光刻胶、光刻胶上的第二金属薄膜以及金属氧化物去除，得到纳米间隙。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属为金、银、铂或铜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属为金、银、铂或铜。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为溶于酸的金属氧化物或溶于碱的金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)的光刻处理包括光刻胶的涂覆、曝光、显影和定影；

其中，所述光刻胶为正性光刻胶。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述曝光的曝光方式为电子束曝光、深紫外曝光、极紫外曝光、X射线曝光或纳米压印。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)的刻蚀为氩离子刻蚀。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中沉积金属氧化物的沉积方式为单原子层沉积。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5)的沉积第一金属的沉积方式为氩离子溅射沉积、磁控溅射沉积、热蒸发沉积或电子束热蒸发沉积。

10.权利要求1～9任意一项所述的制备方法制备的纳米间隙在制备电子器件中的应用。