[发明专利]一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构

权利要求书

1.一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述微桥单元桥腿复合结构采用导电聚合物薄膜或掺杂导电聚合物薄膜作为焦平面阵列微桥单元中与桥面层的氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜接触的引出电极，实现所述氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜与微桥单元中桥柱的电学连通。

2.根据权利要求1所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述导电聚合物为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺中的一种。

3.根据权利要求1所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述掺杂导电聚合物的掺杂剂为路易斯酸或质子酸。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述微桥单元桥腿复合结构在与微桥单元桥面层相近处增设桥腿吸收结构，所述桥腿吸收结构的一侧以桥腿一与电极接触孔相连，另一侧以桥腿二与微桥单元的桥柱相连。

5.根据权利要求4所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述桥腿一、桥腿吸收结构、桥腿二都依次由上层SiNx薄膜层、作为引出电极的导电聚合物薄膜层或掺杂导电聚合物薄膜层以及下层SiNx薄膜层三层膜系构成。

6.根据权利要求5所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述上层SiNx薄膜层、所述导电聚合物薄膜层或掺杂导电聚合物薄膜层以及所述下层SiNx薄膜层的各膜层厚度分别为50-100nm、50-150nm、100-200nm。

7.根据权利要求5-6任意一项所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述桥腿吸收结构的长和宽分别为微桥单元的长和宽的10-20％。

8.根据权利要求5-6任意一项所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述桥腿一的宽度为0.5-1.0μm，长度为3.0-5.0μm。

9.根据权利要求5-6任意一项所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述桥腿二的宽度为0.8-2.0μm，长度根据微桥单元的尺度和所述桥腿吸收结构的长度决定。

10.根据权利要求5-6任意一项所述的焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，其特征在于，所述上层SiNx薄膜采用射频溅射或化学气相沉积工艺进行制备，其工艺温度不超过200℃。