[发明专利]一种电路装置及制造方法

权利要求书

1.一种具有高导热率的装置，其特征在于，包括：

电路器件；

散热片；及

热界面材料层，与所述电路器件及所述散热片热耦合，包括：

第一合金层，与所述电路器件热耦合；

纳米金属颗粒层，与所述第一合金层的接触处形成烧结连续相结构，所述纳米金属颗粒层包括彼此成烧结连续相结构的多个纳米金属颗粒及中间混合物，所述中间混合物填充于所述多个纳米金属颗粒之间，所述中间混合物包括树脂；及

第二合金层，与所述纳米金属颗粒层的接触处形成烧结连续相结构及与所述散热片热耦合。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个纳米金属颗粒包括银。

3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述多个纳米金属颗粒的直径处于50-200纳米之间。

4.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，用于倒装芯片球栅格阵列结构。

5.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，第一合金层包括第一接着层和第一共烧结层，所述第一接着层与所述电路器件热耦合，所述第一共烧结层与所述纳米金属颗粒层耦合，且所述第一共烧结层与所述纳米金属颗粒层的接触处形成烧结连续相结构。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一接着层包括以下材料中的任一种：钛、铬、镍或镍钒合金，所述第一共烧结层包括以下材料中的任一种：银、金或铜。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一合金层还包括第一缓冲层，位于所述第一接着层与所述第一共烧结层之间，所述第一缓冲层包括以下材料中的任一种：铝、铜、镍或镍钒合金。

8.如权利要求1、2、6或7中任一项所述的装置，其特征在于，所述第二合金层包括第二接着层和第二共烧结层，所述第二接着层与所述散热片热耦合，所述第二共烧结层与所述纳米金属颗粒层热耦合，且所述第二共烧结层与所述纳米金属颗粒层的接触处形成烧结连续相结构。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第二接着层包括以下材料中的任一种：钛、铬、镍或镍钒合金，所述第二共烧结层包括以下材料中的任一种：银、金或铜。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二合金层还包括第二缓冲层，位于所述第二接着层与所述第二共烧结层之间，所述第二缓冲层包括以下材料中的任一种：铝、铜、镍或镍钒合金。

11.如权利要求1、2、6、7、9或10中任一项所述的装置，其特征在于，所述电路器件包括集成电路管芯，所述集成电路管芯中的衬底与所述热界面材料层热耦合。

12.一种制造具有高导热率装置的方法，其特征在于，包括：

生成第一合金层，使所述第一合金层与电路器件热耦合；

由彼此成烧结连续相结构的多个纳米金属颗粒与中间混合物生成纳米金属颗粒层，使所述中间混合物填充于所述多个纳米金属颗粒之间，所述中间混合物包括树脂；

以及使所述纳米金属颗粒层与所述第一合金层接触处形成烧结连续相结构；及

生成第二合金层，使所述第二合金层与所述纳米金属颗粒层接触处形成烧结连续相结构，以及使所述第二合金层与散热片热耦合。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个纳米金属颗粒的直径不大于1微米。

14.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述生成第一合金层包括：生成第一接着层和第一共烧结层，并使所述第一接着层与所述电路器件热耦合，使所述第一共烧结层与所述纳米金属颗粒层耦合，且使所述第一共烧结层与所述纳米金属颗粒层的接触处形成烧结连续相结构。

15.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述生成第二合金层包括：生成第二接着层和第二共烧结层，并使所述第二接着层与所述散热片热耦合，使所述第二共烧结层与所述纳米金属颗粒层热耦合，且使所述第二共烧结层与所述纳米金属颗粒层的接触处形成烧结连续相结构。