[发明专利]元件基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510535655.3 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN105383177B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 吉冈利文;中窪亨;渡边信一郎 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: B41J2/16 分类号: B41J2/16
代理公司: 北京魏启学律师事务所11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种元件基板的制造方法,

所述元件基板包括:

喷出口形成构件,其形成有用于喷出液体的喷出口;和

流路形成构件,其用于形成压力室和与所述压力室连通的流量减小部,所述压力室用于存储待通过所述喷出口喷出的液体并且用于产生喷出压力,

所述制造方法的特征在于包括:

在用作所述流路形成构件的基板的预定表面上以使所述预定表面的一部分露出的方式形成第一抗蚀层和第二抗蚀层;

在所述第一抗蚀层和所述第二抗蚀层被用作掩模的情况下对所述基板进行蚀刻,以在所述基板中形成第一凹部;

去除所述第二抗蚀层,以露出所述基板的与所述第一凹部不同的部分;

在所述第一抗蚀层被用作掩模的情况下对所述基板进行蚀刻,以加深所述第一凹部并且在所述基板中形成与所述第一凹部连通的第二凹部;以及

用所述喷出口形成构件覆盖所述第一凹部的开口和所述第二凹部的开口,以通过所述第一凹部和所述喷出口形成构件形成所述压力室并且通过所述第二凹部和所述喷出口形成构件形成所述流量减小部。

2.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,所述制造方法还包括:

在所述第一抗蚀层中形成开口;以及

使用在所述第一抗蚀层中形成的开口来确定所述压力室的流路宽度和所述流量减小部的流路宽度。

3.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,所述制造方法还包括:

为一个压力室形成多个所述流量减小部;以及

使用多个所述流量减小部中的一部分流量减小部作为用于供给液体的流量减小部并且使用多个所述流量减小部中的其它流量减小部作为用于回收液体的流量减小部。

4.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,所述制造方法还包括在所述基板的所述预定表面所在侧的相反侧的表面上顺次形成隔膜、第一电极、压电元件和第二电极,

其中,所述隔膜作为所述压力室的壁的一部分。

5.根据权利要求4所述的元件基板的制造方法,其中,所述制造方法还包括:

在所述第一抗蚀层中形成露出宽度变化部;以及

以覆盖所述露出宽度变化部的方式形成所述第二抗蚀层。

6.根据权利要求4所述的元件基板的制造方法,其中,所述制造方法还包括通过单晶硅基板形成所述基板。

7.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,所述第一抗蚀层和所述第二抗蚀层中的至少一者包括无机薄膜。

8.根据权利要求7所述的元件基板的制造方法,其中,所述无机薄膜包括二氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜中的至少一者。

9.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,所述第一抗蚀层和所述第二抗蚀层中的至少一者包括有机薄膜。

10.根据权利要求9所述的元件基板的制造方法,其中,所述有机薄膜包括感光树脂膜。

11.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,在所述基板中的所述第一凹部的形成包括对所述基板进行干蚀刻。

12.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法,其中,在所述基板中的所述第一凹部的加深和所述第二凹部的形成包括对所述基板进行干蚀刻。

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