[发明专利]一种光传感器及其驱动方法有效
申请号: | 201510535830.9 | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN105044952B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 吴俊纬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感器 及其 驱动 方法 | ||
1.一种光传感器,其特征在于,所述光传感器包括感光薄膜晶体管、电容、电压读取电路和充电模块;
所述感光薄膜晶体管的第一电极与第一电源连接,所述感光薄膜晶体管的栅极接地,所述电容并联在所述感光薄膜晶体管的栅极和第二电极之间,所述电容的电压大于所述第一电源的电压;
所述电压读取电路的输入端与所述感光薄膜晶体管的第二电极连接,所述电压读取电路的输出端与外部读取设备连接,所述充电模块与所述电容连接;
在所述光传感器检测外部光强度之前,通过所述充电模块将所述电容充电至预设电压;在所述电容的电压达到预设电压后,所述感光薄膜晶体管在外部光的照射下发生漏电,使所述电容中的电荷通过所述感光薄膜晶体管逐渐流失;在所述感光薄膜晶体管持续漏电一段时间后,所述电容中的电荷经所述电压读取电路流至所述外部读取设备,所述外部读取设备根据所述电容中电荷的流量获取所述电容的电压并计算出所述外部光的强度。
2.根据权利要求1所述的光传感器,所述电压读取模块包括读取薄膜晶体管和运算放大器;
所述读取薄膜晶体管的第一电极与所述感光薄膜晶体管的第二电极连接,所述读取薄膜晶体管的栅极与外部的第一脉冲输入端连接;
所述运算放大器的同相输入端与第二电源连接,所述运算放大器的反相输入端与所述读取薄膜晶体管的第二电极连接,所述运算放大器的输出端与所述外部读取设备连接;
在所述感光薄膜晶体管持续漏电一段时间后,所述读取薄膜晶体管的栅极接收所述第一脉冲输入端输入的高电平信号,所述读取薄膜晶体管连通所述运算放大器和所述感光薄膜晶体管,所述电容的电压经所述运算放大器进行放大处理后输出给所述外部读取设备。
3.根据权利要求2所述的光传感器,其特征在于,所述充电模块为开关件,所述开关件并联在所述运算放大器的输出端和所述读取薄膜晶体管的第二电极之间;
在所述光传感器检测外部光强度之前,所述开关件导通,所述读取薄膜晶体管接收所述第一脉冲输入端输入的高电平信号,所述读取薄膜晶体管连通所述电容和所述开关件;
所述外部读取设备输出的电流经所述开关件和所述读取薄膜晶体管流入所述电容,所述电容充电。
4.根据权利要求3所述的光传感器,其特征在于,所述开关件与外部的第二脉冲输入端连接;
在所述光传感器检测外部光强度之前,所述开关件接收第二脉冲输入端输入的高电平信号。
5.根据权利要求3所述的光传感器,其特征在于,所述开关件为开关或开关管。
6.根据权利要求1所述的光传感器,其特征在于,所述电容为有极电容。
7.根据权利要求1所述的光传感器,其特征在于,所述感光薄膜晶体管由光敏材料制成。
8.根据权利要求7所述的光传感器,其特征在于,所述感光薄膜晶体管由单晶硅、多晶硅、非晶硅或者氧化物制成。
9.根据权利要求1所述的光传感器,其特征在于,所述光传感器检测所述外部光的过程周期性进行。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-9任一项权利要求所述的光传感器。
11.一种光传感器的驱动方法,其特征在于,所述光传感器的驱动方法应用于权利要求1-9任一项权利要求所述的光传感器,所述光传感器的驱动方法的一个周期包括如下步骤:
在第一时段t1中,通过充电模块将电容充电至预设电压;
在第二时段t2中,感光薄膜晶体管在外部光的照射下发生漏电,使电容中的电荷通过感光薄膜晶体管逐渐流失;
在第三时段t3中,电容中的电荷经电压读取电路流至外部读取设备,外部读取设备根据电容中电荷的流量获取电容的电压并计算出外部光的强度。
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