[发明专利]片式电子组件及其制造方法有效
申请号: | 201510535961.7 | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN105529132B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 郑东晋 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/04 | 分类号: | H01F17/04;H01F27/28;H01F41/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 马翠萍 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线圈图案 电子组件 绝缘基板 片式 内线圈 交界 磁性体 交界部 制造 | ||
1.一种片式电子组件,包括:
磁性体,包括绝缘基板;
内线圈部,形成在绝缘基板的至少一个表面上,
其中,内线圈部包括:第一线圈图案,形成在绝缘基板上;第二线圈图案,设置在第一线圈图案上;第三线圈图案,设置在第二线圈图案上;交界部,不同于第一线圈图案至第三线圈图案,设置在第一线圈图案和第二线圈图案之间的交界和第二线圈图案和第三线圈图案之间的交界的一个或者更多个处,
其中,包含在交界部中的颗粒的尺寸比包含在第一线圈图案至第三线圈图案中的颗粒的尺寸小,
其中,交界部的厚度小于1.5μm。
2.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,交界部包括:第一交界部,设置在第一线圈图案和第二线圈图案之间的交界处;第二交界部,设置在第二线圈图案和第三线圈图案之间的交界处。
3.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,第二线圈图案被设置成覆盖第一线圈图案。
4.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,第二线圈图案具有第二线圈图案沿着宽度方向和高度方向生长的形状。
5.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,第三线圈图案具有第三线圈图案仅沿着高度方向生长的形状。
6.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,第二线圈图案通过各向同性镀覆形成,并且第三线圈图案通过各向异性镀覆形成。
7.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,内线圈部包含从由银、钯、铝、镍、钛、金、铜、铂组成的组中选择的一种或更多种。
8.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,第一线圈图案至第三线圈图案由相同的金属形成。
9.一种片式电子组件,包括:
磁性体,包括绝缘基板;
内线圈部,形成在绝缘基板的至少一个表面上,
其中,内线圈部包括:第一线圈图案,形成在绝缘基板上;第二线圈图案,设置在第一线圈图案上;交界部,不同于第一线圈图案和第二线圈图案,设置在第一线圈图案和第二线圈图案之间的交界处,
其中,包含在交界部中的颗粒的尺寸比包含在第一线圈图案和第二线圈图案中的颗粒的尺寸小,
其中,交界部的厚度小于1.5μm。
10.一种片式电子组件,包括:
磁性体,包括绝缘基板;
内线圈部,形成在绝缘基板的至少一个表面上,
其中,内线圈部包括:图案镀覆层,设置在绝缘基板上;各向同性镀覆层,涂覆在图案镀覆层上;各向异性镀覆层,设置在各向同性镀覆层上;
交界部,具有不同于图案镀覆层、各向同性镀覆层和各向异性镀覆层的晶体结构的结晶相,分别设置在图案镀覆层和各向同性镀覆层之间的交界和各向同性镀覆层和各向异性镀覆层之间的交界中的至少一个处,
其中,包含在交界部中的颗粒的尺寸比包含在图案镀覆层、各向同性镀覆层和各向异性镀覆层中的颗粒的尺寸小,
其中,交界部的厚度小于1.5μm。
11.一种片式电子组件的制造方法,所述方法包括:
在绝缘基板的至少一个表面上形成内线圈部;
在内线圈部形成在上面的绝缘基板的上面和下面设置磁性层,以形成磁性体,
其中,形成内线圈部包括:在绝缘基板上形成第一线圈图案;在第一线圈图案上形成第二线圈图案;在第二线圈图案上形成第三线圈图案,
晶体结构不同于第一线圈图案至第三线圈图案的晶体结构的交界部设置在第一线圈图案和第二线圈图案之间的交界和第二线圈图案和第三线圈图案之间的交界中的至少一个处,
其中,包含在交界部中的颗粒的尺寸比包含在第一线圈图案至第三线圈图案中的颗粒的尺寸小,
其中,交界部的厚度小于1.5μm。
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