[发明专利]一种干法转移银纳米线透明电极的方法

权利要求书

1.一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)银纳米线/PMMA复合物的制备：

向银纳米线透明电极上滴加PMMA胶至完全覆盖整个银纳米线透明电极，然后旋涂获得厚度为0.2～0.5μm的PMMA包覆，接着刮掉基片四周边缘2mm宽度的区域，使得中间薄膜断开与边缘的连接，得到银纳米线/PMMA复合薄膜；

2)转移复合薄膜到PDMS：

将作为转移载体的PDMS压到银纳米线/PMMA复合薄膜的表面，使其与银纳米线/PMMA复合薄膜的表面完全贴合；

向步骤1)中的中间薄膜一侧滴加水，然后从加水一侧的PDMS开始将其抬起，银纳米线/PMMA复合薄膜粘附在PDMS上且与基底剥离；

3)剥离PDMS以及移除PMMA胶：

首先，将步骤2)中粘附在PDMS的银纳米线/PMMA复合薄膜压到经过预热的目标基底上，同时使得银纳米线/PMMA复合薄膜与目标基底完全贴合；

然后，待与目标基底完全贴合的银纳米线/PMMA复合薄膜受热均匀后，将PDMS从一个角掀起，使得银纳米线/PMMA复合薄膜完全停留到目标基底上；

最后，去除PMMA胶，实现银纳米线透明电极的转移。

2.根据权利要求1所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述步骤1)中旋涂的转速为1000～4000转/分钟。

3.根据权利要求1所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述步骤3)中经过预热的目标基底的温度为50～70℃。

4.根据权利要求1所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述步骤3)中目标基底为玻璃基底、硅片、PET或有机薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述有机薄膜为P3HT、PEDOT:PSS或Spiro-MeOTAD。

6.根据权利要求1所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述步骤3)中去除PMMA胶的具体方法是：将目标基底在室温下浸入到丙酮或氯仿中，使PMMA胶溶解。

7.根据权利要求1所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述步骤1)中的银纳米线透明电极通过以下方法制备：将银纳米线的乙醇分散液滴加到基底上，然后经旋涂、刮涂或喷涂，得到具有不同排列密度的银纳米线网络，然后将基片在120～200℃下热处理10分钟，得到银纳米线透明电极。

8.根据权利要求7所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述银纳米线的乙醇分散液的浓度为20mg/mL；所述基底为玻璃；所述旋涂的转速为1000～3000转/分钟。

9.根据权利要求1所述的一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，所述步骤2)中作为转移载体的PDMS的厚度为1～2mm。