[发明专利]一种锂离子二次电池正极材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于锂离子电池技术领域，涉及一种锂离子二次电池正极材料及其制备方法。

背景技术

锂离子电池因为其高能量密度、长循环寿命和安全性等优点已被广泛地应用于笔记本、照相机等产品中。近年来，随着数码电子产品的便携化和技术的发展，人们对电池的能量密度提出了更高的需求。目前常用的锂离子二次电池正极活性材料有钴酸锂、三元、锰酸锂和镍锰酸锂等锂和过渡金属的复合氧化物。其中，钴酸锂的理论容量为274mAh g^-1，在3.0-4.2V下充放电循环时可以有约一半的锂离子嵌入脱出，对应容量约为140mAh g^-1。钴酸锂因为其高的放电电压平台以及容量被广泛地用作便携式电子产品电源中的正极活性物质。在要求其能量密度以及安全性进一步提高的同时，由于充电截止电压的提高以及充放电循环的反复进行，伴随着Li⁺从层状结构中的反复过度脱嵌，存在钴酸锂层状结构的破坏、不可逆相变以及钴离子的溶出，导致电池充放电容量减小、循环性能下降的问题。一般而言，小粒径的钴酸锂颗粒(通常D50<12μm)由于颗粒较小，在充放电的过程中锂离子可以达到相对均匀的脱嵌，有利于层状结构的保持，因此通常具有更好的循环性能。而大颗粒钴酸锂(通常D50>15μm)在进行充放电时由于粒径较大，锂离子扩散路径较长，可能存在颗粒表层附近的过度脱嵌锂导致的结构严重破坏，循环性能衰减迅速。

为了解决上述存在的问题，现有的改善方法主要通过对本体的元素掺杂工艺或者表层金属氧化物等的包覆。例如，通过向钴酸锂中掺杂一定质量分数的镁来提高其循环性能的尝试，但是掺杂后存在放电容量的衰减并且显示初期没有明显的循环优势(J.Electrochem.Soc.,Vol.144,No.9)。申请号为03822891.2的申请专利“锂二次电池用正极材料以及制备方法”。其改善方法主要是铝、镁、氟和四族过渡金属元素掺杂的钴酸锂，并且强调掺杂元素均匀存在于粒子表面附近。又如专利申请号为200480018467.1的申请专利“锂二次电池用正极材料及其制造方法”，强调镁、六族过渡金属元素或者十四族元素的掺杂并且掺杂元素存在于粒子表面附近。申请号为99814394.4的专利申请“不含局部立方类尖晶石结构相的层状锂金属氧化物及其制备方法”，通过向过渡金属位掺杂平均价态N(2.5≤N≤3.5)的掺杂剂以及采用特定的降温速率来控制生成基本上单相的锂金属氧化物，减少钴酸锂颗粒中的类尖晶石相来提高材料的循环性能。

但上述专利申请只是强调一种或者多种元素的掺杂以及掺杂元素的表面分布或者抑制类尖晶石相的生成，存在不能充分满足使用了锂钴复合氧化物的锂二次电池对循环性能、安全性特别是高充电截止电压下的电化学性能的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有高能量密度、高安全性、优良循环性能的锂离子二次电池正极材料及其制备方法。

本发明者在不断的研究中发现：在对正极活性物质进行元素掺杂时，可通过设计特定元素之间的协同作用而达到单个或多个元素所不能实现的结构稳定性，并且通过设计不同元素在活性物质中的掺杂位置可以获得更优的电化学性能。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种锂离子二次电池正极材料，通式为Li_αCo_bMg_cNi_dM_eN_fO_2-δ，Mg，Ni，M和N为掺杂元素，M为Ti、Zr、Mn、Sn中的一种或多种；N为Al、Mg、Zr中的一种或者多种；0.9≤α≤1.2，0.9≤b<1.0，0.0004≤c≤0.03，0.0004≤d≤0.03，0.001≤e≤0.03，0.0004≤f≤0.02，0.0≤δ≤0.01，0.5≤(c+d)/e≤3.0，其中Mg，Ni，M这几种掺杂元素和N元素分两次进行掺杂且Mg和M元素掺杂在过渡金属位，Ni元素掺杂在锂位，N元素在颗粒表层掺杂或包覆。

上述锂离子二次电池正极材料的制备方法，包括以下步骤：

1)按通式所示的摩尔比例将锂源、钴源和含有Mg，Ni，M元素的原料混匀后800～1100℃煅烧1～20h得到体相掺杂Mg，Ni，M的单晶钴酸锂；烧结完成的物料经破碎后得到一次掺杂的钴酸锂材料；