[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，设置于所述衬底基板的上表面的若干像素单元，所述像素单元呈阵列排布于所述衬底基板上；其特征在于，

所述衬底基板上形成有对应每一所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面延伸；

所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述第一电极槽内，所述公共电极形成于所述第二电极槽内。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极槽和所述第二电极槽向垂直于所述衬底基板的方向延伸；

所述第一电极槽和所述第二电极槽的延伸面相互平行。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极槽和所述第二电极槽相对设置，所述第一电极槽和第二电极槽的深度相等；

所述第一电极槽和所述第二电极槽之间的距离随着第一电极槽和所述第二电极槽的深度的增加而减小。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为面状电极或者梳状电极；

所述公共电极为面状电极或者梳状电极。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极槽和第二电极槽的深度范围为1～100μm。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极槽的深度和宽度的比值范围为5：1～50:1。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极电连接。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上表面对应每个像素单元的区域，形成第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面的方向延伸；

在所述第一电极槽内形成像素电极、以及在所述第二电极槽内形成公共电极。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在衬底基板的上表面形成对应所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，包括：

在所述衬底基板上形成掩膜层；

在所述掩膜层上形成光刻胶膜层；

通过构图工艺将所述光刻胶膜层的与待形成的第一电极槽和所述第二电极槽相对应的图形转移到所述掩膜层上，去除所述光刻胶膜层。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成有像素电极和公共电极的衬底基板上形成依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极和钝化层；

所述漏电极与所述像素电极电连接。