[发明专利]一种拓扑绝缘体/铁磁体异质结构薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种拓扑绝缘体/铁磁体异质结构薄膜的制备方法，其步骤是：

a、制备La0.7Sr0.3MnO3薄膜：将硝酸镧，硝酸锶和硝酸锰按镧、锶、锰离子数量比为7:3:10的配比，溶解在N，N-二甲基甲酰胺中，形成La0.7Sr0.3MnO3溶液；在La0.7Sr0.3MnO3溶液中加入质量为所述La0.7Sr0.3MnO3溶液质量的3％-7％的聚乙烯吡咯烷酮K30，形成胶体；再将胶体旋涂在基底上，置于红外干燥箱中干燥；将干燥后的基底片置于管式炉中，依次在160-220℃下保温8-12min，缓慢加热至500-540℃保温18-22min，缓慢加热至830-870℃下保温1-2h，退火处理，即得La0.7Sr0.3MnO3薄膜；

b、沉积Bi2Se3薄膜：将a步中制得的La0.7Sr0.3MnO3薄膜放入磁控溅射仪，在磁控溅射仪的溅射靶上安装Bi2Se3靶材，通过磁控溅射方法在La0.7Sr0.3MnO3薄膜上沉积Bi2Se3薄膜，得到Bi2Se3/La0.7Sr0.3MnO3异质结构薄膜；

c、后退火处理：将b步所得的Bi2Se3/La0.7Sr0.3MnO3异质结构薄膜和0.01-0.05g的硒粒一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行后退火处理。

2.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体/铁磁体异质结构薄膜的制备方法，其特征在于：所述a步中旋涂胶体制备La0.7Sr0.3MnO3薄膜的基底为铝酸镧LaAlO3单晶基底。

3.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体/铁磁体异质结构薄膜的制备方法，其特征在于：所述a步中退火处理是指直接随炉冷却。