[发明专利]一种提高铜箔与基材间抗剥离值的方法

权利要求书

1.一种提高铜箔与基材间抗剥离值的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）初始铜箔的一次处理，对生箔机产出的初始铜箔的M面进行粗化、固化一次处理以提高M面铜瘤高，

一次处理后铜箔相较于初始铜箔增重8~11g/m²，此时铜箔的RZ值由初始的4~6µm 变化为9~13µm；

所述初始铜箔为30µm厚度的铜箔成品；

（2）二次处理，对步骤（1）中一次处理后铜箔的M面继续进行粗化、固化二次处理以提高其RZ值，

二次处理后铜箔相较于一次处理后铜箔增重18~22g/m²，此时铜箔的RZ值由一次处理后的9~13µm变化为13~15µm；

（3）粘合剂粘结，将步骤（2）中二次处理后铜箔与基材间采用特殊的粘合剂粘结；所述特殊的粘合剂为KBE-903硅烷。

2.如权利要求1所述提高铜箔与基材间抗剥离值的方法，其特征在于，

步骤（1）中铜箔M面粗化、固化一次处理具体为：

粗化条件为：Cu²⁺浓度5~30g/L，H₂SO₄浓度35~60g/L，温度15~40℃，电流密度1200－2200A/m²；

固化条件为：Cu²⁺浓度35~55g/L，H₂SO₄浓度40~60g/L，温度25~45℃，电流密度1500~1800A/m²；

步骤（2）中铜箔M面粗化、固化二次处理具体为：

粗化条件为：Cu²⁺浓度5~30g/L，H₂SO₄浓度35~60g/L，温度15~40℃，电流密度3500~4000A/m²；

固化条件为：Cu²⁺浓度35~55g/L，H₂SO₄浓度40~60g/L，温度25~45℃，电流密度3500~4000A /m²。

3.如权利要求1所述提高铜箔与基材间抗剥离值的方法，其特征在于，步骤（2）中运行车速为15~25m/min。

4.如权利要求1所述提高铜箔与基材间抗剥离值的方法，其特征在于，步骤（3）中所述基材为环氧玻璃布基材或无卤素基材。

5.如权利要求4所述提高铜箔与基材间抗剥离值的方法，其特征在于，所述无卤素基材为聚乙烯树脂粘结片。