[发明专利]钝化膜的制备方法、太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种钝化膜的制备方法，包括以下步骤：

在硅片的PN结和电极之间沉积钝化膜，所述钝化膜的厚度为1nm～10nm。

2.一种太阳电池，包括基底硅片、PN结和主栅电极，所述PN结位于基底硅片的前表面上，所述主栅电极设于PN结上，其特征在于，所述PN结和主栅电极之间设有一层钝化膜，所述钝化膜的厚度为1nm～10nm。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述钝化膜包括非晶硅或氧化铝。

4.一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：

（1）在硅片的前表面上制备PN结；

（2）在所述PN结上的预设主栅位置处沉积钝化膜，所述钝化膜的厚度为1nm～10nm；

（3）印刷电极浆料，其中主栅印刷于所述钝化膜上，烧结后得到太阳电池。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）的具体过程为：

（2.1）在所述PN结上沉积减反射膜；

（2.2）在所述减反射膜上制备掩膜；

（2.3）去除所述减反射膜上的预设主栅位置处的掩膜；

（2.4）去除PN结上的预设主栅位置处的减反射膜，所述减反射膜上的预设主栅位置处与所述PN结上的预设主栅位置处相对应；

（2.5）在所述PN结上的预设主栅位置处沉积钝化膜；

（2.6）去除所述减反射膜上的掩膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2.1）中，采用等离子气相沉积法沉积所述减反射膜，所述减反射膜的厚度为70nm～90nm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2.4）中，采用氢氟酸质量分数为0.5%～5%的氢氟酸溶液去除预设主栅位置处的减反射膜。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2.5）中，采用PECVD法或ALD法沉积所述钝化膜，所述钝化膜包括非晶硅或氧化铝。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2.6）中，去除所述减反射膜上的掩膜的具体步骤为：先采用丙酮清洗，再经去离子水冲洗，接着采用异丙醇清洗，最后用去离子水冲洗。

10.根据权利要求4～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）的具体过程为：

（1.1）对P型基底硅片进行清洗制绒；

（1.2）通过扩散，在P型基底硅片的表面制备结深为0.3μm～0.5μm的n型扩散层；

（1.3）二次清洗P型基底硅片，去除硅片表面的磷硅玻璃及背面的p-n结。