[发明专利]HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法在审
申请号: | 201510538704.9 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN105097997A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 汪已琳;曹骞;杨晓生;彭卓寅 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0747 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 周长清;黄丽 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | hit 电池 硅片 si 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)将N型硅片清洗制绒;
(2)将步骤(1)所得N型硅片进行去氧化层处理;
(3)将步骤(2)所得N型硅片置于PECVD腔中,先抽本底真空,然后加热升温、抽高真空,再通入沉积气体SiH4与H2,调节沉积气压与射频功率密度,对N型硅片的正面进行a-Si:H薄膜的沉积,沉积完后降温并将硅片翻面;
(4)重复步骤(3)的过程,对N型硅片的反面进行a-Si:H薄膜的沉积,沉积完成后降温取样,即得到HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜。
2.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,先抽本底真空至20Pa以下,然后加热升温至190℃~200℃,抽高真空至5×10-4Pa以下。
3.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述SiH4与H2的气体流量比为1∶5~6。
4.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述沉积气压为60Pa~80Pa,所述射频功率密度为0.01W/cm2~0.02W/cm2。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述N型硅片的正面a-Si:H薄膜的沉积时间为10s~12s,沉积厚度为8nm~10nm。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,所述N型硅片的反面a-Si:H薄膜的沉积时间为10s~12s,沉积厚度为8nm~10nm。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,经所述N型硅片清洗制绒,去除N型硅片的表面损伤层18μm~22μm,并制得金字塔绒面,金字塔对角线尺寸为5μm~10μm。
8.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述去氧化层处理是将步骤(1)所得N型硅片置于HF溶液中浸泡,然后清洗、吹干。
9.根据权利要求8所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述HF溶液的体积浓度为2%~3%,所述浸泡的时间为10s~20s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的