[发明专利]HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将N型硅片清洗制绒；

（2）将步骤（1）所得N型硅片进行去氧化层处理；

（3）将步骤（2）所得N型硅片置于PECVD腔中，先抽本底真空，然后加热升温、抽高真空，再通入沉积气体SiH₄与H₂，调节沉积气压与射频功率密度，对N型硅片的正面进行a-Si:H薄膜的沉积，沉积完后降温并将硅片翻面；

（4）重复步骤（3）的过程，对N型硅片的反面进行a-Si:H薄膜的沉积，沉积完成后降温取样，即得到HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜。

2.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，先抽本底真空至20Pa以下，然后加热升温至190℃～200℃，抽高真空至5×10^-4Pa以下。

3.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述SiH₄与H₂的气体流量比为1∶5～6。

4.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述沉积气压为60Pa～80Pa，所述射频功率密度为0.01W/cm²～0.02W/cm²。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述N型硅片的正面a-Si:H薄膜的沉积时间为10s～12s，沉积厚度为8nm～10nm。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，所述N型硅片的反面a-Si:H薄膜的沉积时间为10s～12s，沉积厚度为8nm～10nm。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，经所述N型硅片清洗制绒，去除N型硅片的表面损伤层18μm～22μm，并制得金字塔绒面，金字塔对角线尺寸为5μm～10μm。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述去氧化层处理是将步骤（1）所得N型硅片置于HF溶液中浸泡，然后清洗、吹干。

9.根据权利要求8所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述HF溶液的体积浓度为2%～3%，所述浸泡的时间为10s～20s。