[发明专利]HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510538704.9 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN105097997A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 汪已琳;曹骞;杨晓生;彭卓寅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0747
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 周长清;黄丽
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: hit 电池 硅片 si 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,包括以下步骤:

(1)将N型硅片清洗制绒;

(2)将步骤(1)所得N型硅片进行去氧化层处理;

(3)将步骤(2)所得N型硅片置于PECVD腔中,先抽本底真空,然后加热升温、抽高真空,再通入沉积气体SiH4与H2,调节沉积气压与射频功率密度,对N型硅片的正面进行a-Si:H薄膜的沉积,沉积完后降温并将硅片翻面;

(4)重复步骤(3)的过程,对N型硅片的反面进行a-Si:H薄膜的沉积,沉积完成后降温取样,即得到HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜。

2.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,先抽本底真空至20Pa以下,然后加热升温至190℃~200℃,抽高真空至5×10-4Pa以下。

3.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述SiH4与H2的气体流量比为1∶5~6。

4.根据权利要求1所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述沉积气压为60Pa~80Pa,所述射频功率密度为0.01W/cm2~0.02W/cm2

5.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述N型硅片的正面a-Si:H薄膜的沉积时间为10s~12s,沉积厚度为8nm~10nm。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,所述N型硅片的反面a-Si:H薄膜的沉积时间为10s~12s,沉积厚度为8nm~10nm。

7.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,经所述N型硅片清洗制绒,去除N型硅片的表面损伤层18μm~22μm,并制得金字塔绒面,金字塔对角线尺寸为5μm~10μm。

8.根据权利要求1~4中任一项所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述去氧化层处理是将步骤(1)所得N型硅片置于HF溶液中浸泡,然后清洗、吹干。

9.根据权利要求8所述的HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述HF溶液的体积浓度为2%~3%,所述浸泡的时间为10s~20s。

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