[发明专利]一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510540308.X | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105071220B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 苏建;朱振;李沛旭;于果蕾;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/068 | 分类号： | H01S5/068;H01S5/022 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 波长 双峰 808 nm 激光器 及其 制备 方法 | ||
1.消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其中所述消除波长双峰的808nm激光器，包括激光器芯片，在所述激光器芯片的N面电极上设置有延伸至外延衬底层的孔；
所述孔横穿设置在所述激光器芯片的N面电极上，并嵌入所述外延衬底层内；
其特征在于，该制备方法包括：
(1)在激光器芯片的N面电极制备孔，去除孔对应的N面电极金属，直至裸露出所述激光器芯片的外延衬底层；
(2)将经步骤(1)处理后的激光器芯片放置在金属板上，所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置；
(3)采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射；
(4)将经步骤(3)处理后的激光器芯片进行烘烤，温度范围120-150℃，烘烤1-2小时；
(5)对激光器芯片封装测试，完成制备。
2.如权利要求1所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的照射时间为4-6小时。
3.如权利要求1所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述金属板为铜金属板、不锈钢金属板或铝金属板。
4.如权利要求2所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述808nm波长的激光的发出光源为大功率808nm激光器，功率范围10-20W，所述大功率808nm激光器距离所述激光器芯片的距离为5-10cm，所述大功率808nm激光器的光斑输出为圆形或方形。
5.如权利要求3所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述金属板的厚度为2-3mm，尺寸8×10cm，所述金属板的表面平整。
6.如权利要求1所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述孔嵌入外延衬底层内深度范围小于等于50μm。
7.如权利要求1所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述孔的直径为80-100μm。
8.如权利要求1所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述孔的中心与所述激光器芯片解离边的距离为60-150μm；所述孔的中心与所述激光器芯片腔面的距离为60-150μm。
9.如权利要求8所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述孔的中心与所述激光器芯片解离边的距离为100μm；所述孔的中心与所述激光器芯片腔面的距离为100μm。
10.如权利要求1所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述孔的周期为120-180μm。
11.如权利要求10所述消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其特征在于，所述孔 的周期为150μm。
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