[发明专利]高可靠性的蚀刻小面光子器件

权利要求书

1.一种光子器件，包括：

基板；

在所述基板上的半导体结构；

保护层；以及

金属化层；

所述半导体结构包括：

顶表面；

位于所述顶表面之下的有源层；

位于所述有源层之下的被覆区；

至少一个蚀刻小面，定义平行于脊的横截面并位于所述有源层附近的所述半导体结构的两个相对的端侧壁中的至少一个；以及

至少一个蚀刻壁，定义所述半导体结构的除了所述蚀刻小面之外的其余两个相对的侧面中的至少一个；

其中，所述保护层是由沉积的介电材料形成的单一连续层，其完全覆盖了所述蚀刻小面、所述蚀刻壁和除所述半导体结构的所述顶表面上由所述保护层所定义的触点窗之外的所述半导体结构的所述顶表面，

其中，所述触点窗与所述蚀刻小面和所述蚀刻壁隔开并且并不延伸到所述蚀刻小面和所述蚀刻壁；

其中，所述金属化层完全覆盖所述触点窗并且延伸到所述保护层之上以完全密封住所述触点窗。

2.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述至少一个蚀刻小面是通过干蚀处理而形成的。

3.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述基板是InP。

4.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述基板是GaAs。

5.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述基板是GaN。

6.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述器件是激光器。

7.如权利要求6所述的光子器件，其中，

所述激光器是脊形激光器。

8.如权利要求7所述的光子器件，其中，

所述脊形激光器包括具有顶表面和多个侧面的所述脊，

其中，所述触点窗位于所述脊顶表面处，以及

其中，所述保护层完全覆盖除所述触点窗之外的所述脊顶表面和侧面中的每一个。

9.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述器件是电吸附调制器。

10.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述器件是半导体光学放大器。

11.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述保护层是由二氧化硅形成。

12.如权利要求1所述的光子器件，其中，

所述基板具有离所述至少一个蚀刻小面不小于约750nm的单片化边沿，以及

其中，所述保护层完全覆盖在所述至少一个蚀刻小面和所述单片化边沿之间的所述基板。

13.如权利要求1所述的光子器件，还包括：

位于所述有源层之上的第二被覆区。

14.如权利要求13所述的光子器件，还包括：

位于所述第二被覆区之上的覆盖层，

所述触点窗露出所述半导体结构的所述顶表面上的所述覆盖层的至少一部分。

15.如权利要求14所述的光子器件，其中，

所述金属化层形成于所述覆盖层的所述露出的部分上。

16.如权利要求1所述的光子器件，还包括：

触点，形成于与所述半导体结构相反的所述基板的底表面上。