[发明专利]一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺

权利要求书

1.一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）将原料硝酸钠于100～200℃烘干2～5小时后，装入坩埚中；

2）将装料后的坩埚置于提拉炉中，经2～5小时将炉温升至350～450℃，并保温1～2h，使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化，缓慢降低加热功率，当控制炉温为250～350℃时，将籽晶浸到熔体中，旋转籽晶并向上提拉，开始晶体生长，提拉速率为1.0～10mm/h，旋转速率为10～20r/min，固液界面的温度梯度为10～30℃/cm；根据晶体生长趋势，微量调整加热功率，完成放肩和等径过程，生长完毕，提出晶体使之脱离熔体，以20～50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。

2.根据权利要求1所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，所述原料硝酸钠的纯度≥99.99％。

3.根据权利要求1或2所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，所述坩埚为铂金坩埚、或石英坩埚。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，所述籽晶的截面边长为3～10mm，长度为30～100mm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，所述籽晶的取向为<001>，<110>，或<100>，或者未定向。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，所述提拉炉以硅碳棒或硅钼棒为发热体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，所述发热体能够发光。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，将提拉所得的硝酸钠晶体在100～200℃空气气氛下退火处理10～24小时。