[发明专利]一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液及清洗方法

权利要求书

1.一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液，其特征在于，包括碱、清洗剂和水，所述碱为氢氧化钠或氢氧化钾，所述碱在所述清洗液中的质量百分浓度为3％-12％，所述清洗剂在所述清洗液中的质量百分浓度为3％-6％。

2.如权利要求1所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液，其特征在于，所述碱在所述清洗液中的质量百分浓度为3％-8％。

3.如权利要求1所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液，其特征在于，所述清洗剂为包括钾盐、表面活性剂、清洗助剂和金属络合剂的溶液。

4.一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将切割后的硅片进行预处理，以去除所述硅片表面的杂质；

(2)将经步骤(1)预处理后的硅片置于清洗液中，在40-60℃条件下清洗200s-500s；所述清洗液包括碱、清洗剂和水，所述碱为氢氧化钠或氢氧化钾，所述碱在所述清洗液中的质量百分浓度为3％-12％，所述清洗剂在所述清洗液中的质量百分浓度为3％-6％；

(3)将经步骤(2)清洗后的硅片进行水洗、干燥后得到表面损伤层厚度减少的硅片。

5.如权利要求4所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，步骤(2)中，所述清洗的温度为48-55℃。

6.如权利要求4所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，步骤(2)中，所述清洗的时间为240s-320s。

7.如权利要求4所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，步骤(2)中，在所述清洗液中通入空气、氧气和臭氧中的一种或几种。

8.如权利要求4所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，步骤(3)中，所述硅片的表面损伤层的厚度减小了0.2-0.4μm。

9.如权利要求4所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，步骤(1)中，所述预处理为将所述切割后的硅片依次置于酸溶液中清洗、纯水中清洗和混合溶液中清洗，所述混合溶液包括质量百分浓度为0-0.5％的碱和质量百分浓度为3％-6％的清洗剂。

10.如权利要求4所述的可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，其特征在于，步骤(1)中，所述预处理为将所述切割后的硅片依次置于纯水中清洗、含有质量百分浓度为3％-6％清洗剂的溶液中清洗和混合溶液中清洗，所述混合溶液包括质量百分浓度为0-0.5％的碱和质量百分浓度为3％-6％的清洗剂。