[发明专利]用于含常导通晶体管和常关断晶体管的开关的系统和方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

常关断晶体管；

常导通晶体管，包括耦合到所述常关断晶体管的第一负载路径端子的第二负载路径端子以及耦合到所述常关断晶体管的第二负载路径端子的控制端子；以及

驱动器电路，包括耦合到所述常关断晶体管的控制端子的输出、配置成耦合到第一电源的第一电源端子的第一电源端子以及配置成耦合到第二电源的第二电源端子的第二电源端子，其中所述常导通晶体管的所述第二负载路径端子进一步配置成经由与所述常关断晶体管的负载路径分离的电路路径耦合到所述第一电源的第二电源端子并且耦合到所述第二电源的第一电源端子。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述常导通晶体管包括GaN HEMT器件，所述常导通晶体管的所述第一负载路径端子包括所述GaN HEMT器件的漏极，所述常导通晶体管的所述第二负载路径端子包括所述GaN HEMT器件的源极，并且所述常导通晶体管的所述控制端子包括所述GaN HEMT器件的栅极。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述常关断晶体管包括增强型MOSFET晶体管，所述常关断晶体管的所述第一负载路径端子包括所述增强型MOSFET晶体管的漏极，所述常关断晶体管的所述第二负载路径端子包括所述增强型MOSFET晶体管的源极，并且所述常关断晶体管的所述控制端子包括所述增强型MOSFET晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第一电源的所述第一电源端子配置成具有比所述第一电源的所述第二电源端子更高的电压；并且

所述第二电源的所述第一电源端子配置成具有比所述第二电源的所述第二电源端子更高的电压。

5.根据权利要求4所述的电路，进一步包括所述第一电源和所述第二电源。

6.根据权利要求1所述的电路，进一步包括欠压锁定保护电路，所述欠压锁定保护电路配置成当所述第二电源的电压低于阈值时，关断所述常关断晶体管。

7.根据权利要求6所述的电路，进一步包括开关，所述开关耦合在所述常关断晶体管的所述控制端子和所述常关断晶体管的所述第二负载路径端子之间，其中所述欠压锁定保护电路配置成当所述第二电源的所述电压低于所述阈值时，闭合所述开关并且当所述第二电源的所述电压高于所述阈值时，断开所述开关。

8.一种操作开关的方法，所述开关包括常关断晶体管，所述常关断晶体管的第一负载路径端子耦合到常导通晶体管的第二负载路径端子，所述方法包括：

将所述常关断晶体管的第二负载路径端子处的电压施加到所述常导通晶体管的控制端子；

接通所述常关断晶体管，包括将来自第一电源的第一端子的电压电势施加到所述常关断晶体管的控制端子；以及

关断所述常关断晶体管，包括将来自第二电源的第二端子的电压电势施加到所述常关断晶体管的所述控制端子，其中所述常关断晶体管的所述第一负载路径端子和所述常导通晶体管的所述第二负载路径端子耦合到所述第一电源的第二端子并且耦合到所述第二电源的第一端子。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

测量在所述第二电源的所述第一端子和所述第二电源的所述第二端子之间的第一电压；以及

当所述第一电压小于阈值时，关断所述常关断晶体管。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述常导通晶体管和所述常关断晶体管均包括FET晶体管；

所述常导通晶体管的所述第二负载路径端子包括所述常导通晶体管的源极，并且所述常导通晶体管的所述控制端子包括所述常导通晶体管的栅极；

所述常关断晶体管的所述第一负载路径端子包括所述常关断晶体管的漏极；

并且所述常关断晶体管的所述第二负载路径端子包括所述常关断晶体管的源极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述常关断晶体管包括增强型MOSFET，并且所述常导通晶体管包括GaN HEMT。

12.根据权利要求8所述的方法，其中接通所述常关断晶体管和关断所述常关断晶体管包括将开关信号施加到驱动器电路的输入并且用所述驱动器电路的输出驱动所述常关断晶体管的所述控制端子。

13.根据权利要求8所述的方法，进一步包括使用所述开关将开关式电源中的电感器磁化和消磁。