[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法，其特征在于，包括：

在等离子体处理装置的处理容器内准备具有设置于所述第一区域上和所述第二区域上的掩模的被处理体的步骤；

在收纳有所述被处理体的所述处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和

在收纳有所述被处理体的所述处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤，

交替反复进行生成所述第一处理气体的等离子体的所述步骤和生成所述第二处理气体的等离子体的所述步骤，

在生成所述第一处理气体的等离子体的步骤中，所述多层膜的蚀刻率比所述单层的氧化硅膜的蚀刻率高，

在生成所述第二处理气体的等离子体的步骤中，所述单层的氧化硅膜的蚀刻率比所述多层膜的蚀刻率高。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述碳氟化合物气体包含C₄F₆。

3.如权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：

所述第一处理气体还包含三氟化氮气体。

4.如权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：

所述第一处理气体还包含H₂气体。

5.如权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：

所述第一处理气体包含硫化羰气体、烃气体和三氯化硼气体中的至少一种气体。

6.如权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：

所述掩模是无定形碳制。