[发明专利]用于生成备用电压的系统和方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一常导通晶体管，具有耦合到第一开关输出节点的漏极；

常关断晶体管，具有耦合到所述第一常导通晶体管的源极的漏极；

驱动器电路，配置成接收开关信号，所述驱动器电路具有耦合到所述第一常导通晶体管的栅极的输出；以及

第二常导通晶体管，具有耦合到供电节点的漏极端子、耦合到所述驱动器电路的所述输出的栅极端子以及配置成提供备用电压的源极端子。

2.根据权利要求1所述的电路，进一步包括电容器，所述电容器耦合在所述第二常导通晶体管的源极和所述常关断晶体管的源极之间。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述驱动器电路进一步包括耦合到所述第一常导通晶体管的源极的第一电源端子以及配置成耦合到驱动器参考电压节点的第二电源端子。

4.根据权利要求3所述的电路，进一步包括电源电路，所述电源电路耦合在所述驱动器电路的所述第一电源端子和所述驱动器电路的所述第二电源端子之间。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述常关断晶体管的源极配置成耦合到地。

6.根据权利要求1所述的电路，进一步包括开关，所述开关耦合在所述供电节点和所述第一开关输出节点之间。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述供电节点配置成具有至少100V的电压。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一常导通晶体管和所述第二常导通晶体管包括氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述常关断晶体管包括增强型MOSFET器件。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一常导通晶体管和所述第二常导通晶体管布置在同一半导体衬底上。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述备用电压耦合到启动电路。

12.一种操作开关电路的方法，所述开关电路包括具有耦合到第一开关输出节点的漏极端子的第一常导通晶体管、具有耦合到所述第一常导通晶体管的源极端子的漏极端子的常关断晶体管、具有耦合到所述第一常导通晶体管的栅极端子的输出的驱动器电路、具有耦合到供电节点的漏极端子以及耦合到所述驱动器电路的所述输出的栅极端子的第二常导通晶体管，所述方法包括：

在所述驱动器电路的输入处接收开关信号；

根据所述接收的开关信号，用所述驱动器电路驱动所述第一常导通晶体管和所述第二常导通晶体管；以及

在所述第二常导通晶体管的源极端子处生成备用电压。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括使用耦合在所述第二常导通晶体管的源极端子和所述常关断晶体管的源极端子之间的电容器对所述备用电压进行低通滤波。

14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括接通所述常关断晶体管。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括接通和关断耦合在所述第一开关输出节点和所述供电节点之间的开关。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一常导通晶体管和所述第二常导通晶体管包括氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。

17.根据权利要求12所述的方法，进一步包括将所述备用电压提供给启动电路。

18.一种电源系统，包括：

第一开关电路，包括驱动器和开关，其中所述第一开关电路的所述驱动器耦合到第一电源；

第二开关电路，与所述第一开关电路串联耦合，其中所述第一开关电路包括：

第一常导通晶体管，具有耦合到第一开关输出节点的漏极，

常关断晶体管，具有耦合到所述第一常导通晶体管的源极的漏极，

驱动器电路，配置成接收开关信号，所述驱动器电路具有耦合到所述第一常导通晶体管的栅极的输出，以及

第二常导通晶体管，具有耦合到供电节点的漏极端子、耦合到所述驱动器电路的所述输出的栅极端子以及耦合到备用电压节点的源极端子；以及

上电电路，具有耦合到所述备用电压节点的电源，所述上电电路配置成当所述第一电源的电压低于第一阈值时为所述第一开关电路的驱动器提供功率。