[发明专利]于非平面输出晶体管的非平面静电放电装置及其共同制造

说明书

技术领域

本发明大体涉及用于半导体装置的静电放电(ESD)装置。更特别的是，本发明涉及用于非平面输出晶体管及与其一起制成的非平面静电放电装置。

背景技术

非平面输出晶体管经常经历静电放电(ESD)的损害。过去，用于使非平面输出晶体管免受害于ESD事件的保护包括使用成双的二极管与比较大的RC功率-箝位装置(power-clampdevice)。不过，RC功率-箝位装置会大幅增加耗电量，而且双二极管的办法经常不适合抵御高ESD电流应力。

因此，亟须一种保护非平面输出晶体管不受ESD事件侵袭并符合成本效益的方法。

发明内容

在一态样中，提供一种保护非平面输出晶体管不受静电放电(ESD)事件侵袭的方法来克服先前技术的缺点并提供额外优点。该方法包含：提供非平面半导体结构，该结构包含：半导体基板，其包含属于第一类型的阱，该第一类型包含n型及p型中的一者；至少一个增高半导体结构，其耦合至该基板；非平面晶体管，其属于与该第一类型相反的第二类型，该晶体管位于该至少一个增高结构上，该非平面晶体管包含源极、漏极及栅极；以及寄生双载子接面晶体管(BJT)，其在该至少一个增高结构上，该BJT包含在该至少一个增高结构上的集极及射极以及含有该阱的基极。该方法进一步包含使该非平面晶体管的该漏极及该BJT的该集极电耦合至电路的输出，以及使该非平面晶体管的该源极及该BJT的该射极电耦合至该电路的接地。

根据另一态样，提供一种非平面半导体结构。该结构包含半导体基板，其包含属于第一类型的阱，该第一类型包含n型及p型中的一者。该结构进一步包含：至少一个增高半导体结构，其耦合至该基板；非平面晶体管，其属于与该第一类型相反的第二类型，该晶体管位于该至少一个增高结构上，该非平面晶体管包含源极、漏极及栅极；以及寄生双载子接面晶体管(BJT)，其在该至少一个增高结构上，该BJT电耦合至该非平面晶体管的该漏极，该BJT包含在该至少一个增高结构上的集极及射极，以及含有该阱的基极。

由以下本发明各种态样结合附图的详细说明可明白以上及其他的本发明目标、特征及优点。

附图说明

图1是根据本发明的一或多个态样图示非平面半导体结构的一实施例的透视图，该结构包含：具有属于第一类型的阱的半导体基板；耦合至该基板的增高半导体结构；在该增高结构上属于第二类型的非平面晶体管；在该增高结构上用该阱当作基极的寄生双载子接面晶体管(BJT)；以及与该阱同类型的阱接触。

图2是根据本发明的一或多个态样图示非平面半导体结构的另一实施例的透视图，该结构包含：具有属于第一类型的阱的半导体基板；耦合至该基板的增高半导体结构；在该增高结构上属于第二类型的非平面晶体管；包围该非平面晶体管的一部份的传导栅极，该传导栅极电耦合至该阱，该非平面晶体管也当作寄生双载子接面晶体管(BJT)；以及在该增高结构上的BJT用该阱当作基极。

符号说明

100非平面半导体结构

102半导体基板

103源极

104阱

105漏极

106增高半导体结构

107栅极结构

108非平面晶体管

110寄生双载子接面晶体管(BJT)

112阱接触

114集极

116射极

118隔离材料

122输出

124接地

200非平面半导体结构

202半导体基板

204阱

206增高半导体结构

208非平面晶体管

210传导栅极

211电耦合

212BJT

214源极

216漏极

218射极

220集极

222输出

224接地。

具体实施方式

以下用图示于附图的非限定性实施例更详细地解释本发明的数个方面及其一些特征、优点及细节。省略习知材料、制造工具、加工技术等等的描述以免不必要地模糊本发明的细节。不过，应了解，尽管详细说明及特定实施例指出本发明的数个方面，然而它们皆仅供图解说明而不是用来限制。本领域技术人员显然由本揭示内容可明白在本发明概念的精神及/或范畴内有各种取代、修改、附加及/或配置。